|
회로를 완성한다.
- 테브난의 등가회로를 구성할 때, RTH의 정확한 값을 구성하지 못할 것이므로, 주어진 저항들고 최대한 비슷한 값으로 구성하도록 노력한다.
6. 참고문헌
- 기초전자실험 with PSpice
P.115~127 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1
|
|
|
, 트랜지스터의 VBE = 0.7V 이다) 1. 목적
2.예비지식
a. 대신호 동작
b, 소신호 동작
c. 정전류 전원
3. 준비
3.1 대신호 동작
3.2소신호 동작
4. 기기 및 부품
5. 실험
5.1 대신호 동작
5.2소신호 동작
6. Pspice 실험결과
|
|
|
예비 보고 사항 1)에서의 식을 통해 를 계산한 결과 값은 약 7.66V가 나왔다.
3) 실험 회로 6-2의 회로에서 =0.7V, =150 이라 가정하고 , , , , , , 를 구하라.
테브난 등가 회로로 간단히 구성한 뒤 계산하면 =0.74V 이다. 이므로 =36μA, 에서 =5.4mA, 에서 = 5.4
|
|
|
회로로 동작할 때, 와 의 값을
계산하라.
(계산값) = 1.34V
(계산값) = 2.95V
b. 그림 3-10에서 우측 상단 다이오드를 제거하고, 와 의 값을 측정하라. 이 결과를
연습문제 6(a)의 계산값과 비교하라.
(측정값) = 1.361 V
(측정값) = 2.998V
4. 실험 결론
3주차
|
|
|
외의 구간에서는 R1과 R2로 인해 약 1/2 기울기를 유지하며 출력 전압이 증가했다. 피크값은 2.9V로 비슷하였다. 전자회로실험 예비보고서
4장. 파형 정형 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
|
|
|
6dB이고 3dB 감소하는 하한 주파수 , 상한 주파수 를 측정해보니 =83.586Hz가 나오고 =1.3914MHz가 나왔다. 이를 통해 대역폭을 계산하면 약 1.3913MHz가 나온다. 전자회로실험 예비보고서
9장. MOSFET 증폭기 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비
|
|
|
실제 시스템이 비선형요소를 갖고 있다는 점이다. 이러한 시스템에서는 일정범위내의 축력전압과 전류에서만 테브난 또는 놀턴등가회로가 성립한다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
|
|
|
색코드를 표시하시오.
(a) 0.27Ω, 1/2W, 5% : Red, Violet, Silver, Gold
(b) 2.2Ω, 1/4W, 10% : Red, Red, Gold, Silver
(c) 39Ω, 1/8W, 10% : Orange, White, Black, Silver
(d) 560Ω, 1/2W, 5% : Green, Blue, Brown, Gold
(e) 33kΩ, 1W, 20% : Orange, Orange, Black, No color
7. DMM으로 저항을 측정할
|
|
|
McGRAW.hill higher Education, 2009, pp145-146.
위키백과, 검색어|노튼의 정리,
http://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%85%B8%ED%8A%BC%EC%9D%98_%EC%A0%95%EB%A6%AC 1. 목적
2. 관련이론
2.1 노튼의 정리
2.2 테브닌 등가회로와 노튼 등가회로의 관계
3. 이론값
4. 참고문헌
|
|
|
부른다.
참고문헌
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자
2. 실험제목
3. 실험목적
4. 실험준비물
5. 실험절차
6. 기본지식 및 관련이론
|
|
메뉴펼치기
