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결과들을 볼 때, 오차값은 존재하지만, 이론값과 실제 측정한 값이 대체적으로 일치한다는 것을 알 수 있다. 따라서 이론으로만 배웠던 것들이나 법칙들이 실제로 성립한다는 것을 볼 수 있다.
6. 참고
<김상배 저, 기초전기전자실험, 홍릉과
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출력하는데, 이것을 논리곱 이라한다.
① 논리식 : F=A•B 또는 F=A∩B
② 진리표
③ 논리동작 : A가 1이고, B가 1일 때에만 F는 1이다. - 문턱전압이란?
- 전압강하란?
- 다이오드의 직렬구성
- AND게이트
- 정논리란?
- 브릿지 회로란?
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.
7. 보상 저항 510Ω을 100Ω 저항으로 대치하고 실험 6을 반복하여 출력 파형의 변화를 관측하라.
출력 파형을 그려라.
8. 보상 저항이 100Ω인 경우에 미분기 출력의 계단 응답에서 발생하는 진동 주파수와 근사적인
안정 시간을 측정하라.
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전자도서관
경상대학교 - 물리의 이해 http://physica.gsnu.ac.kr/
위키피디아 - http://ko.wikipedia.org
http://astro.u-strasbg.fr 1.실험이론
2.실험장비
3.실험방법
4.측정값
5.실험결과
6.질문및검토
7.토의및감상
8.참고문헌및출처
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회로설계 이상부 정일
인터넷 사이트
http://user.chollian.net/%7Ewow7/electro/basciff/basciff.htm
http://user.chollian.net/%7Ewow7/electro/RSFF/RSFF.htm
http://www.ups.pe.kr/flipflop.html
http://princess.kongju.ac.kr:8080/DigitalMain/dvlec/textbook/chap07/digital07_2.htm
http://archi.chungbuk.ac.kr/m
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회로에는 당연히 불이 들어올 것이라고 생각했는데 불이 들어오지 않는 상황들도 벌어졌다. 예상이 빗나갈 수록 나의 실험 열정은 더욱 깊어 진거 같다. ^^;; 어떤 것은 모든 실험이 끝난 후 그냥 해보았는데 생각해서 쓴 것과 다른 결과가 나
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압이 Vccwjsdkq 즉 5V에 가깝게 될 것이다.
-시뮬레이션 결과
14-7 트랜지스터의 증폭작용
-시뮬레이션 조건 TRANSIENT 해석을 수행하며 Run to time을 3ms로 하면 된다.
-시뮬레이션 결과
14-8 트랜지스터의 증폭도 계산법
(1)실험 회로
-회로해석
본 회로는
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829
-http://www.scienceall.com/dictionary/dictionary.sca?todo=scienceTermsView&classid=&articleid=2 56003&bbsid=619&popissue= 1. 실험목적
2. 이론
1) 옴의법칙
2) 키르히호프법칙
3. 사용기기 및 부품
4. 실험순서
⑴ 옴의 법칙
⑵ 키르히호프의 전압 법칙
⑶
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초래할 수 있음).
4. 예상 결과
저항 값은 일정하게 나오지 않고, 각 저항의 허용오차범위 내에서 값이 계속 변할 것이다.
5. 참고문헌
전자전자기초실험 / 대한전자공학회 1. 실험목적
2. 실험 이론
3. 실험 방법
4. 예상 결과
5. 참고문헌
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회로도 (i)를 구성하고 J, K를 표 7과 같이 변화시키면서 CLK 신호를 가해 Q와 의 논리상태를 측정하여 표 7(a)에 기록한다.
(11) 회로도 (i)대신 7476 JK flip-flop을 사용하여 절차 (10)을 반복하고 표 7(b)에 기록한다. 디지털공학실험 플립플랩 예비
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