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2V~2V인 구간은 입력과 출력이 같았고 그 외의 구간에서는 R1과 R2로 인해 약 1/2 기울기를 유지하며 출력 전압이 증가했다. 피크값은 2.9V로 비슷하였다. 전자회로실험 예비보고서
4장. 파형 정형 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및
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커패시터까지 제거한 후 전압을 측정하고 계산해봤더니 은 약 622.7Ω이 나왔다. 전자회로실험 예비보고서
8장. 베이스 접지 증폭기 및
이미터 폴로워 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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Digital 오실로스코프를 사용하여 '㎱'단위의 시간을 측정할 수 있지만, 만약 Analog 오실로스코프를 사용시 정확한 '㎱'단위의 시간 측정이 어렵다.
< 실험 고찰 >
실험 2. CMOS 회로의 전기적 특성을 통하여 High-speed CMOS logic family인 74HC시리즈의
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전자 부품들이 이 장에서 공부한 드모르간의 정리와 부울 대수, 그리고 카르노 맵을 통한 간략화를 통해 이루어져 있다는 것을 알게 되었다. 뭐든 기초가 중요하다는 것을 다시 한 번 깨달았고 한 단원씩 해 갈수록 점점 더 흥미가 느껴진다.
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회로로 놓는다.)
3. 사용 장비 및 부품
직류 전원 공급 장치
함수 발생기
오실로스코프
디지털 멀티 미터
MOSFET : 2N7000TA (1개)
저항 10Ω, 1.8kΩ, 2.2kΩ, 3.3kΩ, 4.7kΩ 등 다수
커패시터 : 1μF (전해, 1개), 2.2μF (전해, 1개), 330μF (전해, 2개)
4. 실험 방
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실험 보고서는 결과를 나열하기보다 이론과 연관 지어 결과를 정리하고, 만약 오차가 있다면 그 원인을 분석해내는 것이 중요하다.
5. 참고문헌
-기초전자실험 with PSpice 기초 지식(p.13~14), 키르히호프 법칙 실험(p.93~98) 1. 실험 목표
2. 관
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2) NOT 게이트와 NAND 게이트를 이용하여 4*1 MUX를 설계하고 진리표를 작성한다.
4. 참고자료
1. 회로이론, 한경희외 공저, 형설출판사, 1991.2
2. 전기전자기초실험, 신정록외 공저, 한올출판사 1996.8
3. 전기회로, 최윤식외 공저, 의중당, 1996.2
4. 디지
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참고
10. 이상적인 전압계의 내부 저항은 실제 전압계의 내부 저항보다(크다, 적다).
11. 이상적인 전류계의 내부 저항은 실제 전류계의 내부 저항보다(크다. 적다).
3. 배운점 및 소감
4. 예비 보고서(실험8 직렬회로)
1.
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실험 보고서는 결과를 나열하기보다 이론과 연관 지어 결과를 정리하고, 만약 오차가 있다면 그 원인을 분석해내는 것이 중요하다.
5. 참고문헌
-기초전자실험 with PSpice 기초 지식(p.13~14), 옴의 법칙 실험(p.75) 1. 실험 목표
2. 관련이론
2
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회로에 프로브를 연결하여 측정을 실시한다. 기초 전자 실험 예비 보고서(저항)
1. 실험 주제
1.2 실험 장비
1.3 실험을 위한 기초 이론
1.3.1 저항
고정 저항
1.3.2 저항의 컬러코드
1.3.3 멀티미터
-디지털 멀티미터 사용 시 주의사항-
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