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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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회로구성에서 입력저항은
이고, 전압이득은 이면
로서 항상 1보다 작음을 알 수 있다. 또한 출력저항은 등가회로부터 를 구하여 얻을 수 있는데, 이면
로 주어진다.
3. 시뮬레이션
(1) 회로도
(2) 시뮬레이션 결과
(3) 실험 회로
(4) 1K Hz
(5) 10K Hz
(6
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실험을 하면서 전자회로 시간에 이론적으로 배운 내용을 실험을 통해 확인할 수가 있었다. 그리고 실험도 우리가 원하는 값이 잘 나와 주었기 때문에 실험이 수월하게 끝난 것 같다. 다음 실험도 이번처럼 준비를 잘하여 수월하게 실험하도록
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⑤ PSW(Program Status Word)
⑥ Program Counter(PC)
⑦ 그 외의 CPU 레지스터
메모리 구조
프로그램 메모리
데이터 메모리
8051동작을 위한 회로연결
8051의 인터페이스
발진회로
리셋회로
외부 메모리 인터페이스
C언어의 기본적인 사항들
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회로로 놓는다.)
3. 사용 장비 및 부품
직류 전원 공급 장치
함수 발생기
오실로스코프
디지털 멀티 미터
MOSFET : 2N7000TA (1개)
저항 10Ω, 1.8kΩ, 2.2kΩ, 3.3kΩ, 4.7kΩ 등 다수
커패시터 : 1μF (전해, 1개), 2.2μF (전해, 1개), 330μF (전해, 2개)
4. 실험 방
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Amplifier)
(3) 공통 게이트 증폭기 (Common Gate Amplifier) 1. 실험목적
2. 관계이론
(1) 공통 소스 증폭기 (Common source Amplifier)
(2) 공통 드레인 증폭기 (Common Drain Amplifier)
(3) 공통 게이트 증폭기 (Common Gate Amplifier)
3. 회로도
(1) 공통 소스 증폭기
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243.6 Cgd=1.6p M=.3622 Pb=1 Fc=.5 Cgs=2.414p Kf=7.832E-18
+Af=1)
*Nationalpid=50case=TO92
*88-08-01 rmnBVmin=25
.op
.tran 0 0.5m
.probe
.end
4. 실험에 사용될 TR 및 IC 조사
2N5485 데이터시트에 칩에 관한 모든 내용이 기록되어 있다. 1. 관련 이론
2. 예비보고서
3. P-SPICE
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전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp43-47.
AlexanderSadiku, 『Fundamentals of Electric circuits』4th, McGRAW.hill higher Education, 2009, p35. 1. 목적
2. 관련이론
2.1 회로의 접속점 표시
2.2 직병렬회로의 해석
3. 이론값
1. 직병
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전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp43-47.
네이버 백과, 검색어|등가회로, http://100.naver.com/100.nhn?docid=52029
네이버 지식인, 답변자|angelo83, 답변일자|2007.10.04, http://kin.naver.com/detail/detail.php?d1id=11&dir_id=110209&docid=4692214&qb=7KeB67OR66Cs7ZqM66GcIOuF
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음수 volt를 나타내주기 때문이다. 또 두 번째 실험에서도 탄소막대저항을 사용했기 때문에 오차가 생길 수 있다.
3. 참고문헌
전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp81-82. 1. 브리지 회로
2. 고찰
3. 참고문헌
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