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JFET에 연결된 외부회로가 동작 영역을 결정한다. 이 실험에서는 JFET의 주어진 회로 규격들에 부합하여 선형 영역에서 동작하도록 바이어스 한다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 1
실험방법 및 유의사항 5
참고문헌 5
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관련 이론, 시뮬레이션 결과, 실험방법 및 유의사항 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 5
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다이오드의 정류 기능을 알아보았다. 정류 회로는 다이오드가 ‘순방향 바이어스 전압’이 걸렸을 때에만 전류를 흘려주는 특징을 이용한 것이다. 요약문
실험내용
실험결과
문제점 및 애로사항
설계프로젝트 진행사항
결론
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R.L.C 수동소자와 TTL IC
DC회로와 DC전압,전류 측정
Ohm의 법칙과 저항의 직렬 병렬 R.L.C 수동소자와 TTL IC
DC회로와 DC전압,전류 측정
Ohm의 법칙
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주어진 조건에 맞춰 자기 바이어스의 저항과 전압의 값을 결정하고 실제 회로를 구성하여 드레인-소스 전압과 드레인 전류의 값을 비교하여 본다. 요약문 1
실험내용 1
실험결과 2
문제점 및 애로사항 4
설계프로젝트 진행사항 4
결론 4
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다양한 기본적인 연산증폭기를 알아보고 실험을 통해 전압을 측정하여 각각의 증폭기 회로를 해석하는 것이 이번 실험의 목적 요약문 1
실험내용 1
실험결과 3
문제점 및 애로사항 5
설계프로젝트 진행사항 5
결론 5
(별지) 측정 Datasheet
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클램핑 회로가 파형에 어떠한 영향을 주는지 다이오드와 저항, 커패시터 그리고 건전지를 이용한 회로를 만들어 커패시터에 걸리는 전압과 출력 전압의 측정을 통해 확인 요약문 1
실험내용 1
실험결과 5
문제점 및 애로사항 8
설계프로
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.4.2 병렬 연결
[ I2 전류 사진 ]
[표 5-3] 병렬 연결 실험
전체 저항 ( RT )
전류 I
이론값
측정값
[%]오차
I
I1
I2
I3
54.54[Ω]
54.00[Ω]
0.99[%]
91.33 [mA]
50.33 [mA]
25.11 [mA]
17.05 [mA]
전압
ⓐ ~ ⓑ 간의 전압
ⓒ ~ ⓓ 간의 전압
4.99 [V]
4.99 [V]
5.6 결과 검토
[그림 5-8]
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따른 전류 값을 이용해 다이오드의 특성곡선을 그려 문턱전압에 대한 이론과 비교해보고 DC 저항과 AC 저항의 값을 확인하여 보았다. 요약문
실험내용
실험결과
문제점 및 애로사항
설계프로젝트 진행사항
결론
(별지)측정 Datasheet
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전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 4
참고문헌 5
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