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이론
1) 중첩의 원리(principle of superposition)
≪ 그 림 ≫
그림 4 중첩의 원리
중첩의 원리란 한 개 이상의 전원을 포함하는 선형 회로망에 있어서, 회로내의 임의의 점에서 전류
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회로이론, 한경희외 공저, 형설출판사, 1991.2
2. 전기전자기초실험, 신정록외 공저, 한올출판사 1996.8
3. 전기회로, 최윤식외 공저, 의중당, 1996.2
4. 디지털전자회로, 김기남 저, 네트웍텔레콤 정보기술원, 1998.2
5. 집적회로, 이영훈 저, 상학당, 2002
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회로이론, Hayt지음, 강철호 역, Mc Graw Hill 출판
-대학 물리학, 청문각 출판 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 순서
4. 실험에 사용된 원리 정리
1) 디지털 논리 회로인 and, or, not, xor게이트의 입출력 특성
2) 부울대수와 카르노 맵, 카
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이론만 가지고 있는 허울뿐인 지식을 가진 공대생이 아닌 이론과 실전을 겸비한 실전에서도 유용하게 이론을 적용할 수 있는 공대생으로 거듭날 것 같다. 1. 제 목 : 직병렬회로, 테브난의 정리
2. 실험 순서에 따른 측정 값
3. 측정값
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회로에 연결할 때 0으로 연결하지 않도록 해야 가변저항이 타지 않는다. reciprocity 정리를 확인하는 실험시간상 진행하지 않았지만 이를 피스파이스로 확인하였다. 호혜성이라는 의미를 가진 이 정리는 전압원이 있고 다른 도선에 흐르는 전류
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회로
A. 그림 1-(b)처럼 회로를 연결한다.
B. A-B 단자 전압 VAB를 측정한다.
C. 그림 1-(c)처럼 회로를 연결한후, A-B 단자의 합성저항 RAB를 측정한다.
D. 그림 1-(e)처럼 회로를 연결한 후, 6Ω에 흐르는 전류를 측정한다.
E. 이론값과 비교한다.
2. 노튼
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이론 중에 하나입니다. 회로이론 시간을 비롯해 전자회로 등 많은 시간에 이 테브닌 등가회로에 대해 공부 했습니다. 이유인 즉 복잡한 회로를 간단하게 우리가 이용하기 편리하게 정리해 주는 큰 장점이 있기 때문입니다.
이번 실험을 통해
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앞의 회로는 전압 이득이 다음과 같은 반전 증폭기가 된다.
< 3-4 제한된 저주파 이득을 갖는 적분기 회로 >
3. 시뮬레이션
1) 미분기
2) 적분기 1.목적
2.이론정리
적분기
미분기
3.시뮬레이션
적분기
미분기
4.결과
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수 있다.
출처 : 교재 본문, 기초전기전자실험(김상배 저, 2009),
네이버백과(http://100.naver.com) ‘테브난의 정리’
< 참 고 문 헌 >
기초전기전자시험 / 김상배 저 / 흥릉과학출판사 / 2009
회로이론(7판) / 제임스닐슨 저 / PEARSON / 2005
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이론치 : 14.6 = 0.65 (V) ,, -12.4 = -0.55(V)
실험치 : 0.64(V) ,, -0.64(V)
3. 2) 주기 T = 2RfC 0.02ms
3. 3) +V 6.2 v ,, -V -5.60 v
3. 4) Duty cycle = 100 = 50% ( 이론치 )
= 48% ( 실험치 )
▶ 검토 및 결론
→ 이번의 실험들은 대체적으로 회로가 간단하고, OP amp가 특성이 잘 나
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