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전자회로실험 P.85~93
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4
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설계
019. 공통 소스 트랜지스터 증폭기
020. 다단 증폭기 (RC 결합)
021. 공통 이미터 증폭기의 주파수 응답
022. 차동 증폭기 회로
023. 선형 연산 증폭기 회로
024. 능동필터회로
025. 비교기 회로 동작
026. A급 및 B급 전력 증폭기
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1000Hz의 오타로 보인다.) 2Vp-p출력이 Q2의 컬렉터에서 관측될 때까지 발생기 출력을 조정하라. AB 양단에 나타난 신호전압 VAB2값을 측정하라.
6.C2를 이동하여 R5와 R6를 다시 바이패스 시킨 다음 C5를 제거 한 후의 주파수 응답을 측정하라.
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전자회로 / sedra
[2]. http://www.AllsheetData.com
[2]. http://upgrade.kongju.ac.kr/cgi-bin/tr.cgi?a=d&i=2N3904&q=l 1. 서 론
1. 이 론
1) 공통 이미터 증폭기
2) 이미터 저항을 가진 공통 이미터 증폭기
2. 설계과제 의도
2. 사용할 BJT 소자에 대한 특성분석
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실험 방법 4.1과 4.2를 PSPICE로 시뮬레이션하고 전압 이득, 3-dB 하한 주파수와 3-dB 상한 주파수를 구하라. 이 결과를 1) ~ 4)에서 구한 이론적인 값과 비교하라.
PSPICE 시뮬레이션을 통해 계산한 전압 이득 =-7.41 이고 예비보고사항 2)에서 계산한 전
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45.22 μA
36.02 μA
23.55 μA
11.29 μA
컬렉터 전류
8 mA
6 mA
4 mA
2 mA
전류증폭률
176.9
166.6
169.9
177.1
표 3.2 이미터 접지회로 차단동작영역 실험( = 15V)
실험단계
실험내용
실험결과
(3)
전원전압
15 V
입력전압
0.0006 V
베이스 전압
0.0006 V
컬렉터 전압
15 V
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증폭기)
Vi4, Vo4
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회
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주파수 , 상한 주파수 를 측정해보니 =83.586Hz가 나오고 =1.3914MHz가 나왔다. 이를 통해 대역폭을 계산하면 약 1.3913MHz가 나온다. 전자회로실험 예비보고서
9장. MOSFET 증폭기 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예
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A)
β
결과값
694
mV
0V
11.11V
11.11
-3.31
3.29
19.31
170
.38
2. 고정바이어스 회로
그림 3-2
Q2N3904
VB
VE
VC
VCE
IE(mA)
IC(mA)
IB(μA)
β
결과값
3.29V
2.59V
13.17V
10.58V
3.82
3.79
22.10
171
.49
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이
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작게 한 후 증폭기의 신호입력에 연결하고 각단의 출력을 측정한 결과, 이론과 일치하는 증폭된 파형이 출력되었고, 각단의 DC 바이어스 + 사인파 의 형태로 출력되었다. 1. 주제 및 실험 관련사항
2. 전체 회로도
3. 각단 해석
4. 결론
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