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른 출력을 살펴보고, 또한 +5[V]로 연결하여 살펴보아라.
10[V] 인가시
A
B
C
0
0
10
0
10
0
10
0
0
10
10
0
5[V] 인가시
A
B
C
0
0
5
0
5
0
5
0
0
5
5
0
(2) <그림 13.5>의 회로를 구성하고, 실험 1과 같이 전압을 인가하여 각각의 진리표를 작성하라.
10[V] 인가시
A
B
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기를 대입하면 L값을 구할 수 있습니다. 위의 식으로 구한 인덕터의 값은 으로 페이저 영역으로 바뀐 것 이므로 다시 바꿔줘야 합니다.
실험
(1) <그림 18.1(a)>의 회로 (R=1 [k], C=0.01 [uF])를 구성하고 함수 발생기로부터 발생된 진폭이 5[V]이고
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기능을 못하게 됩니다. 이런 이유로 최대 를 각 TR의 Datasheet에 명시하도록 되어있습니다.
3. 실험기기 및 부품
(1) BJT CA3046(1개)
(2) 저항 100(1개), 1k(1개), 100k(1개)
(3) 직류 전원공급기 1대
(4) 오실로스코프 1대
4. 예비실험
(1) <그림 2.6>과 같이
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=-73.424mV입니다. 입니다.
=> 에 135을 주고 측정한 색이 반전된 그래프에서 녹색이 , 빨강색이 을 나타낸 것입니다. 값은 =9.759mV, =-36.717mV입니다. 로, 소신호 이득의 대략 1/2값 입니다. 1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 예비실험
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실험 1), 2) 3)을 반복하시오. =0.5mA가 되게 VBB를 조절한다. Transient 시뮬레이션 시에는 출력 전압이 포화가 되어 왜곡이 생기지 않도록 입력 신호의 진폭을 낮춘다.
=> =0.5mA가 되는 VBB 값은 약 2.1673V입니다.
=> Transient 해석과 AC 해석을 위한 회
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하늘색 순으
로 더 큰 저항 값. (ex. 진한 하늘색은 1k
, 중간 하늘색은 300k)
저항 값
1k
4.3071m
2k
2.1625m
3k
1.4451m
5.1k
852.749u
10k
436.633u
20k
219.208u
30k
146.486u
51k
86.436u
100k
44.255u
200k
22.217u
300k
14.846u 1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 실험
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실험
(1) <그림 16.1>의 회로 (R=1 [k], C=0.01 [uF], L=10 [mH])를 구성하고 신호발생기로부터 발생된 진폭이 5 [V]이고 주파수가 5 [kHz]인 구형파 신호 를 회로에 인가한다. 와 커패시터 양단에 걸리는 전압 파형을 오실로스코프로 측정하고 그 파형을
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138.332u-114.675u = 23.657u
=> 5.0V의 90%인 약 4.5V의 값부터 10%인 약 0.5V의 값까지의 변화 시간을 측정해보면, 약 23.657us가 나오게 됩니다.
=> 위 그래프에서 약 0.2ms까지가 한 주기입니다. 1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 예비 실험
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압은 R2.Id이다.
3. 실험기기 및 부품
(1) N-channel MOSFET CA4007 (1개)
(2) 저항1.5k(2개), 5k(1개), 10k(3개)
(3) 커패시터 0.1uF(2개), 0.1nF(1개)
(4) 함수발생기1대
(5) 직류 전원공급기1대
(6) 오실로스코프1대
4. 실험
1) CS (Common-Source) Amplifier 1. 실험 목적
2.
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1. 환경시험법
① 정속온도변화시험(Temperature Cycling Test)
정속온도변화시험은 부품이 매우 높은 온도와 매우 낮은 온도에 대항할 수 있는 능력 및 이러한 온도 양 단을 왕복하는 주기적 노출에 견딜 수 있는 능력을 시험한다. 주기적인 열기계
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