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nbsp;기초 이론
1. 유도성 소자
2. 인덕터
3. 자속
4. 인덕터의 전압 전류 관계
5. 인덕터 결합
6. 저역 통과 필터 (적분 회로)
7. 고역 통과 필터 (미분 회로)
8. 차단주파수, 시정수
9. RL회로가 직렬일 때 위상차
실험 방법
시뮬레이션 결과
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회로 사진
-앞면
-뒷면
4. 참고 자료
- 인터넷
· “정보통신기술용어해설”, http://www.ktword.co.kr/index.php
· 한국정보통신기술협회(TTA) 정보통신용어사전, http://word.tta.or.kr/index.jsp
- 서적
· 한학근,『이론과 함께하는 전자회로실험(2판)』, 문운당,
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실험 준비물
- DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기(Function generator),
1N4004(1개), 1N4728(1개), 저항(resistor), 커패시터(capacitor) 등.
3. 기초 이론
● 다이오드
- 다이오드란 전압을 일정한 방향으로 인가했을때만 전
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9-3]에 기록하시오.
- 예비 보고서 때와는 다르게 RD 저항을 short 시키지 않고 100ohm의 값을 주어서 실험을 진행하였다. 다음의 회로는 브레드 보드에 구성한 본 실험의 회로도의 모습이다. 1. 실험 과정 및 결과
2. 실험 결론 및 분석●고찰
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실험 결론 및 분석●고찰
(6) 능동 부하 차동 증폭 회로를 구성하고, 공통 모드 전압 이득을 구한다. 공통 모드 전압 이득을 구하기 위해서 두 입력을 공통 모드 전압에 묶고 사인파 10kHz을 입력한 후, 주파수를 바꾸면서 출력을 측정하여 이득
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1. 실험 과정 및 결과
◎ 사용한 기자재 및 부품 : DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 브레드 보드, 전선, 2.4kohm 저항 1개, 22kohm 저항 2개 등.
- 실험을 시작하기 앞서서 사용할 저항들의 실제 측정
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전자회로 이론 수업시간에서 현재 배우고 있는 내용이라 더 흥미롭게 조사하였다. 멀티심을 통해 여러 가지를 실험을 하다보니 자연스럽게 트랜지스터를 배우는데 많은 도움이 되었다. 1 Pre-Lab(예비실험): 기본 이론 조사
2 Pre-Lab(예비실
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실험을 여러 번 반복하였는데, 실험을 반복 하다보니 알맞은 값이 나오게 되어 기분이 좋았다. 이번 실험 한 것을 기억하여 전자회로 이론에 접목시켜서 잘 활용하도록 하겠다. 1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
3 Post-Lab(실험 후 과정): 고찰
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실험): 검토 및 느낀점
이번 실험을 통해서 MOSEFT의 특성에 대해 알아보았다. 이번 실험으로 와 의 전압-전류 특성도 알 수 있었고, 문턱전압이라는 가 무었을 의미하는지도 알게 되었다. 아직 전자회로 이론 시간에 배우지 않은 내용이라 생소
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표 20-1. 1차 저역통과 필터
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표 20-2. 저역통과 필터의 차단주파수
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표 20-3. 2차 저역통과 필터
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