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회로와 전파정류회로의 출력전압그래프에서 면적을 비교하면 반파에 비해 전파정류회로가 2배정도 넓다. 따라서 전파정류의 평균값이 반파 정류 평균값보다 2배 크다. 1. 실험 목적
2. 이론
2-1. 반파 정류 회로 (half-wave rectifier circuit)
2
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회로
7. 출력회로를 SSR 방식으로 변경
* 연구과제
1) 광전효과에 대하여 설명하시오.
■ 광전 효과
★ 흡수체 및 방출된 전자의 상태에 의한 분류
2. 포토다이오드와 포토트랜지스터의 동작원리를 설명하고, 각각의 구동 회로를 설계하시
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회로
-비선형회로에 응용.
절대치회로, 슈미트회로, 삼각파-정현파변환회로, 첨두값홀드회로, 샘플홀드회로
-변조회로에 응용
AM변조회로, PWN변조 회로, PAM회로
등 거의 모든 전기 전자 분야에 활용 가능하고 또 활용되어지고 있다.
<실험 내
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실험에서 사용되는 MOSFET 트랜지스터나 릴레이와 같은 반도체 스위칭 장치로 구성된다.
우리 회로에서 사용된 IRF540 또한 MOSFET 트랜지스터이다.
이 회로에서 주의할 점은 아래 사진의 양방향 제어에서 스위치를 1,2,3,,4로 둘 때 1,3 번이 열리면
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실험에서 사용하는 다이오드는 역방향 전류를 생각하지 않기로 하자.
ⅲ) 저항기의 저항 읽기
ⅳ) 액체 저항
(1) 염화나트륨 (NaCl)
㉠ 염화나트륨의 이온결합
㉡ 물에 의한 소금의 용해
ⅴ) 반도체 소자의 종류와 원리
Ⅲ. 실험장
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실험결과 예상 (이론값)
실험(a) 측정값
I\'1
I\'2
I\'3
6.818mA
2.727mA
4.091mA
실험(b) 측정값
I\'\'1
I\'\'2
I\'\'3
3.636mA
5.4545mA
1.818mA
실험(c) 측정값
I1
I2
I3
3.182mA
2.727mA
5.909mA
3. 참고문헌
- 전기 전자 개론 (광명)
- 일반 전자 공학 (삼원출판)
- 전기 공학 (학문
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실험의 이해
② 실험 용액의 제조 / 시편 Polishing
③ 부식 속도 계산 (mpy)
④ 외부 전원법, 희생 양극법 조사
2. 갈바닉 부식의 이해
① Cell의 전위차 구하기(emf series)
② 부식 속도 / 전류 밀도 계산
③ Question 과제 / 갈바닉 부식의 응용
3.
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언제나 전기를 다루는 실험은 정말 주의하며 실험해야한다는 것을 다시한번 되새기게 되었다. 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 관련 이론
4. 실험기기 및 재료
5. 실험 실습 회로도와 실험 순서
6. 실험 결과
7. 검토 및 유의사항
8. 고 찰
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실험이었다. short된 뒷 부분의 저항은 전압강하는 일어나지만 전류는 흐르지 않았는데 이는 일상생활에서도 유용하게 사용되는 부분일 것이다. 예를 들면 전기배선 수리 작업등을할 때, 특히 발전소 같은 송전시설이 있는 곳 에서는, 함부로
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/F)
전기화학당량
g/Ah
구 리
63.54
1(알)
8.93
63.54
0.6585
2.373
구 리
63.54
2(산)
8.93
31.77
0.3293
1.186
니 켈
58.71
2
8.9
29.36
0.3041
1.095
크 롬
52.01
6
7.1
8.67
0.0899
0.324
아 연
65.38
2
7.1
32.69
0.3388
1.219 1. 실험재목
2. 실 험 자
3. 목 적
4. 이론 및 측정원리
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