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측정 시뮬레이션을 보면
R_{ 3 }
의 전류와
R_{ m }
의 전류는 비슷하게 나온다. 여기서
R_{ m }
을 구하기 위해서 식을 세우면
R_{ m } = { R_{ 1 } (V-R_{ 3 } I_{ } ) } over { I(R_{ 1 } +R_{ 3 } )-V }
이다. 1. 오실로스코프
(1)오실로스코프의 동작원리
(2)
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측정한 전압값이며 는 부하를 제거하고 회로망 내의 전원도 제거한 상태에서의 부하단자 사이의 저항값이다.
= 6V
결과적으로 테브닌의 등가회로는 아래와 같이 된다.
3. 실험 준비물
전원장치
0~15V 가변 직류전원<regulated>
측정계기
DMM 또
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실험에서는 저항값과 캐패시터의 값이 작을수록 시간 상수가 작아져 R-C회로에서의 축전기가 빨리 충전되고 방전된다는 것을 알 수 있었다. 첫 번째 실험에서 시간을 너무 소비하였지만 실험을 이해하는데 있어서 좋은 시간을 가진 것 같다.&n
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전기 전자 기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이
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실험6]
실험교재에서 전류 단자를 A-B에, 전압 단자를 A-C에 연결시킨후 유효전력을 측정 하라 고 했으나 그림 상에 A,B,C의 위치가 표시 되어있지 않아서 구하지 못했다.
5.참고 자료 :
전기전자 기초실험 (청문각)
Fundamentals of Electrc Circuits
http://c
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전기저항에 비례한다. 병렬회로에서는 부하에 걸리는 전압이 같으므로, 각각의 부하에 흐르는 전류가 전기저항에 반비례한다.],
Earl D.Gates, “전기전자공학개론”, 홍릉과학출판사, 2008, pp.28~29 1. 실험의 목적
2. 관련이론
(1) 옴의 법칙
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실험에서 전기용량C를 바꿔서 실험하지 못한점이 아쉬웠다. 그리고 저항값이 너무 작아서 시상수를 구하는데, 오차가 발생했을 가능성이 많다.
4. 결과
이번 실험은 저항과 콘덴서로 이루어진 회로에서의 콘덴서에 인가되는 전압의 시간적
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전기신호의 출력을 값을 얻어내는데 스트레인 게이지를 이용하여 랩뷰상에서 분석할 수 있었다. 이 스트레인 게이지 힘 측정 장치의 회로 구성에 휘이트스톤 브릿지가 사용되었기에 실험 수행에 앞서 먼저 휘이트스톤 브릿지의 특성에 대해
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측정한다.
7) 구한 미지 저항값과 Multimeter로 측정한 저항값을 비교해 본다.
8) 다른 기준저항에 대해서도 앞의 순서를 반복하여 저항값을 측정한다. 실험목적
실험이론
실험이론 & 실험 기구 및 장치
실험이론
실험방법
주의 사항
실
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측정하여 각 저항에 흐르는 전류를 구하여라.
(5)회로를 사용하여 위 순서 (2)~(4)를 반복실험 하여라
(6)위순서 (5)에서 얻은 결과를 측정값에 대한 %오차를 측정하여라.
*참고문헌
1. 전자통신기초실험, 전자.통신연구회 편, 도서출판 상학당
2.
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