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측정에 사용된다.
콜라우슈브리지
미끄럼선의전원을 가청주파수의 교류로 하고 검출기도 수화기나 매직아이로 한 것이다.
전해액의 저항률의 측정이나 대지의 전기전도율 또는 접지저항 등과 같이 직류 전원으로 측정하면 성극작용이 나타
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실제로 측정값과 이론값을 비교해보며 옴의 법칙과 Kirchhoff의 법칙 (회로망 내의 한 접점에서 모든 전류의 합은 0이고, 회로망 내의 임의의 닫힌 경로에서 모든 전위차의 합은 0이다.)을 확인해 볼 수 있는 실험이었던 것 같다. 목차없음
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측정값을 보면 저항값이 10k일 때와의 값이 ±7.4V정도가 되어야 스위칭 되는 현상을 관찰 할 수 있었다. 또한 저항이 줄어듦에 따라서 와 의 절대값이 작아진 것을 볼 수 있다.
실험2는 슈미트 트리거 회로를 이용한 사각파 발생회로를 만들어 R
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측정값과 이론값을 비교해보며 옴의 법칙과 Kirchhoff의 법칙 (회로망 내의 한 접점에서 모든 전류의 합은 0이고, 회로망 내의 임의의 닫힌 경로에서 모든 전위차의 합은 0이다.)을 확인해 볼 수 있는 실험이었던 것 같다. [기계공학 실험] 직
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측정이 이루어 질 수가 없었다.
이번 실험으로 인해 저항값과 옴의 법칙에 대해 다시 한번 더 복습할 수 있는 시간 이였으며, 다이오드의 특성에 대해 알아보는 유익한 시간이였다.
4. 참 고 자 료
① 회로해석 / Johnson 외 3명 / Prentice Hall
② 회
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실험 모두 회로도만 잘 보고 실험하면 된다.
첫 번째로 +12V를 이용하여 5V를 만들고 다시 3.3V를 만드는 실험에서는 저항값을 잘 설정하고, 캐패시터의 극성만 잘 구분하여 실험하면 된다 1. 실험목적
2. 실험결과
3. 고 찰
4. 느낀 점 및
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실험 3에서는 실험2에서 나타난 오차를 확인해 볼 수 있었다.
이 실험에서 저항값이 상당히 크게 차이나는 것을 확인하였다. 전류를 주파수 함수로 측정해보면 전류는 공진때 최대값을 갖는다. 이 때 이상적인 경우라면 임피던스는 저항요소
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실험 결과
시편
크기 (cm)
전압(mV)
두께
전류(mA)
IGO
1×3
422.9
300nm
100
실리콘
1×1
4.281
1mm
100
ITO
1×1
229.5
200nm
100
4-point probe방법
4.실험 방법
실험 A.
1. 휴대용 4 point probe를 이용하여 금속과 반도체의 면저항을 측정한다.
2. 금속과 반도체의 전기적
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전기용량 임피던스 를 구한다.
⑻ 식 (25.16)을 이용해 를 계산하고 와 그래프를 이용해 구한 결과와 비교한다.
⑼ 과 에 걸리는 전압의 위상차 를 계산한다.
8. 참고문헌 및 출처
일반물리학실험, 부산대학교 물리학 교재편찬위원회, 청범출판
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전기전자공학개론, Giorgio Rizzoni지음, Mc Graw Hill 출판
-회로이론, Hayt지음, 강철호 역, Mc Graw Hill 출판
-대학 물리학, 청문각 출판 1. 실험 목적
2. 실험 순서
3. 이론적 배경
1) 다이오드
2) 정류회로
4. 실험 결과
1) 반파 정류 회로
2) 브
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