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회로의 저항과 같다.
T 회로망 설계에 대한 실험은 거의 오차가 없었다. 1.2㏀의 결과값을 기대하는 실험에서는 1.272㏀가 나오고 전압에서도 0.011V 정도만 차이가 있었다.
4. 참고문헌
전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학
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저항값
역방향
저항값
측정값
56.8kΩ
∞Ω
<표 1.5> 다이오드 저항값
3. Discussion
접합다이오드의 순방향과 역방향의 특징을 알 수 있는 것으로, 이론으로 배운것을 직접 실험을 통해 확인하는 시간이었습니다. 지난학기 전자회로 시간에 배
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측정 하였다. 각 실험의 출력 전압은 위 표와 같은 결과를 얻었고, 예비보고서에서 계산한 이론적인 =31.8Ω과 비교하였을 때 약간의 차이를 보였지만 작은 출력 저항 값을 얻었다.
2.2.4 검토 사항
이미터 폴로워 회로 실험에서는 대략적으로 예
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회로에 인가한다. 와 커패시터 양단에 걸리는 전압 파형을 오실로스코프로 측정하고 그 파형을 그려라.
⇒ 실험 (2), (3)은 같은 회로에서 저항 값만 변경하면 됩니다.
(2) 저항값을 2[k]으로 한 후 의 파형을 측정하라.
(3) 저항값을 4[k]으로 한 후
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회로에서 Vdc를 구할 때는 두 개의 Si 다이오드를 통과 하므로 2VT를 빼야 하는데 처음에 하나의 다이오드의 값만 빼서 실험 결과값이 크게 달라졌었다.
10) 트랜스포머의 2차 전압을 설정하기 위해서는 DMM으로 확인하며 함수 발생기로 1차 전압
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측정 한다. 단, 는 미지의 인덕터의 내부 등가 직렬저항이다.
그림 6. Maxwell-wien bridge 실험 회로
② 동일한 미지의 인덕터에 대해 [그림 7]의 회로를 구성하고, 주파수와 가변 저항값을 변 화 시키면서 브리지 평형 조건을 만족시키는 , 값을 측정
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7k[ ]
5.6k[ ]
5k[ ]
47.63k[ ]
[4]
저 항 값
R1
R2
R3
계 산 값
33k[ ]
2.7k[ ]
0.47k[ ]
측 정 값
34k[ ]
2.6k[ ]
0.47k[ ]
[5]
R1
R2
R3
RT
4.6V
0.36V
0.0064V
5.04V
4. 고 찰 및 검 토
지난 시간에 배운 옴의 법칙과 저항 측정 하는 방법으로 직렬회로 실험을 하였다. 키르히호프의
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회로이지만, 앞으로 어떠한 제품을 개발하거나, 연구할 때 실질적인 도움이 많이 될 것이다.
실제 7조의 실험 결과값.
1kΩ 일 때, Time constant 132us
5kΩ 일 때, Time constant 640us
10kΩ 일 때, Time constant 1.24ms
20kΩ 일 때, Time constant 2.2ms 1.개요
2.
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측정하라. 측정치로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 g의 결과와 비교하라. 1.사전 지식
1)반도체
2)진성반도체
3)확산 전류
4)드리프트 전류
5)전류의 방향
2.실험 절차
1)문턱 전압
2)직렬구성
3)병렬구성
4)정논리 AND 게이트
5)브릿지
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측정된 출력 신호 Vout이 과정 15에서 측정된 출력의 1/2과 같아질 때까지 Rout을 조정한다.
18. 회로에서 Rout을 제거한다. 저항값을 측정, 기록한다. 이것이 증폭기의 출력 임피던스 Rout의 값이다.
19. 부하가 접속된 상태에서 회로의 전압 이득과
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