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2~3 에서의 관측결과에 나타난 입출력간의 위상차를 측정한다.
6. 참고자료
기초 전자실험 / 홍순관 / 홍릉과학출판사 / pp 63~89
과학도를 위한 전자공학 / James J. Brothy / 사이텍미디어 / pp 50~51, 61
http://blog.naver.com/ecima?Redirect=Log&logNo=80014620883
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측정 회로도
※ 직열 연결 히스토그램
→ 저항값의 평균 m= 9.86kΩ 이므로
표준편차 σ = =
※병렬 연결 히스토그램
→ 저항값의 평균 m= 4.93kΩ
표준편차 σ = =
실험결과가 예상보다 작게 나온이유는 전선 내부저항과 또한 다른 이유때문일 것이
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실험이었다.
테스터기를 사용할 때에는 각각의 저항값과 상응하는 전류로써 측정하는 것이 좋다. 만약 측정치가 매우 커지거나 매우 작아져서 저항의 크기를 측정하는 데에 어려움이 따른다. 1. 실험 목적
2. 실험 이론
전기저항 측정
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회로에 인가된 전압의 위상차와 주파수 등의 다양한 정보를 얻는 데 있다. 이번 실험 에서는 브리지 정류회로와 커패시터 입력필터 회로에 인가 된 전압의 위상차에 대하여 확인 해보았는데, 오실로스코프를 통해 파형을 측정 하였을 때 브리
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회로와 병렬회로에 걸리는 전압과 전류를 측정하여 Ohm의 법칙과 키르호프의 법칙을 이해하기 위한 실험이다. 먼저 실험에 쓸 저항체를 3개 골라서 각각의 색코드를 읽어서 저항값을 읽었고 그 값은 다음과 같다.
, ,
그리고 멀티 미터를 이용
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저항값을 측정할때의 오차와 실험실내의 온도 등 저항에 미치는 오차의 원인들이 작용하여 전류값이 0일때의 정확한 가변저항값을 측정하기란 매우 어려웠다. 이러한 이유로 오차가 발생 하기는 했지만 브리지 회로를 통한 측정값의 오차 정
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회로였다. 실험과정은 위 실험과는 달리 직접 회로내의 모든 직류 전압강하를 계산하고 콜렉터 에미터 베이스 각각의 전위를 계산한다. 그러고 나서는 회로 내 모든 직류 전압강하를 직접 측정해서 비교해 보았다. 베이스 저항이 제거 되었지
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회로에서 들어오는 전류 와 흘러 나가는 전류 , 의 값을 기록하고, 들어오는 전류와 나가는 전류가 같은지 확인한다(제 1법칙). , 및 점에서도 같은 실험을 반복한다.
③ , 및 의 저항값을 기록하고 건전지의 전압을 측정, 기록한다. 이 값을 이
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배우지 않아서 조금 힘들긴 한 mosfet을 조금이라도 알 수 있는 시간이 된것 같다. 사실 회로도 많이 복잡하고 아직 익숙치 않은 mosfet도 사용하지만 이번을 계기로 조금더 알아가는 계기가 된것같다. 1. 요 약
2. 서 론
3. 본 론
4. 결 론
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측정해보면 전류는 공진때 최대값을 갖는다. 이 때 이상적인 경우라면 임피던스는 저항요소들만이 남게 되어 V=IR 이 되어야 하지만각 소자들의 기생요소들로 인해 V=IR 이 되지는 않는다. 1.실험 제목 : RLC회로]
2.측정값 및 계산
3.토의
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