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실험책을 찾아보면 중첩의 원리를 실험 하기에 앞서 선형회로라는 전제조건을 주는것도 있음을 확인 할 수 있었다.
참고서적 : 전기전자실험 박건작 외/진영사
디지털회로실험 김사중 외/상학당
참고사이트 : http://163.180.122.191 경희대학교 광
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tant current : CC) 전원이란 어떤 것인지 설명하라.
(3) 전류 제한 기능의 용도를 설명하라.
(4) 다음 용어를 설명하라.
① line regulation
② load regulation
③ ripple percentage
Ⅴ. 참고문헌
기초전기전자공학실험
→ 곽경석외 (주)교학사
기초회로실측에기
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측정하였을 때 나올수 있는 저항의 크기의 다름폭을 %로 표시한 것이다.
Ⅴ. 참고문헌
http://hanbat.ac.kr/~bee/om.htm
기초전기전자공학실험 곽경섭외 (주)교학사 Ⅰ. 목적
Ⅱ. 관계이론
Ⅲ. 실험방법
Ⅳ. 예상실험결과
Ⅴ. 참고문헌
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기초전기전자공학실험
→ 곽경섭외 (주)교학사
디지털회로실험
→ 배명진외 에드텍 멀티미터의 사용법
Ⅰ. 실험목적
Ⅱ. 관계이론
Ⅲ. 실험방법 (일반멀티미터)
Ⅲ. 실험방법 (디지털멀티미터)
Ⅳ. 예상실험결과
Ⅴ. 참고문헌
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실험의 ARM과 EMPOS보드를 정말 열심히 공부하였다. C에 대한 지식이 거의 전무한 상태로 시작하여 계란으로 바위치는 심정으로 시작하였는데 잘 짜여진 소스를 자꾸 보고 또 보면서 C에 대한 감각을 익혀 나갔다.
C에서 가장 중요한 점은 위에서
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실험에서 저항에 대한 전압 값을 구할 때 약간의 오차가 발생 하였다. 오차가 발생한 원인으로는 저항이 값이 정확하지 않고 오차를 포함하고 있기 때문에 오차가 발생하였는데 측정값과 Vrms(=) 비교하였을 때를 말한다. 따라서 오차는 크지
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맞게 설계한다.
단, I : 직류 부하전류
f : 리플주파수
C : 커패시턴스
참고문헌
대학기초실험 : 최승헌 외 3명 공저 : 복두출판사
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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1. 실험목적
트랜지스터의 NPN형과 PNP형에 대해서 관찰하고 실험 할 수 있도록 한다.
2. 실험기구
저항계, NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순서
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1. 실험목적
트랜지스터의 NPN형과 PNP형에 대해서 관찰하고 실험 할 수 있도록 한다.
2. 실험기구
저항계, NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순
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폭기
공통 게이트 증폭기는 공통 베이스 증폭기(BJT)와 유사
낮은 입력저항 Rin(source) = 1/gm
전압이득은 공통소스증폭기와 동일(Av = gmRd)
FET(Fileld-Effect Transistor)이 고입력 임피던스를 갖는 이유
간단히 말씀 드리면 FET의 물리적 구조 때문입니
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