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10)
1. 전자회로 실험 P. 30 그림 4-10의 회로를 구성한다.
2. 오실로스코프로 입려과 출력파형을 관찰한다.
3. 측정된 파형을 전자회로 실험 P. 30 그림 4-11에 도시한다.
4. 를 47으로 교체한 후 파형을 도시한다.
4. PSpice 시뮬레이션 회로도 및 결과
①
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회로 시뮬레이션 결과
※ 전자회로실험 P.46 그림 6-5 전류 시뮬레이션 결과
※ 전자회로실험 P.46 그림 6-5 전압 시뮬레이션 결과
5. 데이터 시트
※이번에 사용한 소자는 트랜지스터 2N3904입니다.
6. 실제 실험 결과
6-1. 트랜지스터 Base 및 Collector,
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실험 결과
십진값
카운터 순서
Q3
Q2
Q1
Qo
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
2
0
0
1
0
3
0
0
1
1
4
0
1
0
0
5
0
1
0
1
6
0
1
1
0
7
0
1
1
1
8
1
0
0
0
9
1
0
0
1
10
1
0
1
0
11
1
0
1
1
12
1
1
0
0
13
1
1
0
1
14
1
1
1
0
15
1
1
1
1
십진값
카운터 순서
Q3
Q2
Q1
Qo
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
2
0
0
1
0
3
0
0
1
1
4
0
1
0
0
5
0
1
0
1
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실험 결과를 바탕으로 표와 그래프를 그려본 결과, 1N4148과 1N4733 다이오드의 수치 모두 전압이 0.5V부터 천천히 올라가다가, 1~2V 시점부터 급격하게 증가됨을 알 수 있다.
7. 참고문헌
전자회로실험
p.2~5 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초
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기초전자물리학실험을 수행할 수 있는 ‘나’를 만들어야겠다. 1. 실험 목표
2. 실험 배경 요약(교재와 참고문헌 활용)
3. 실험 장비 및 재료
4. 실험 과정 및 실험 구성도 요약
5. 실험 및 결과 분석, 검토, 결론.
6. 실험 목표에 대한 자기
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회로에 프로브를 꼭 부착하여 빈 화면이 결과로 나타나지 않기를 유의한다.
6. 참고문헌
- 기초전자실험 with PSpice
P.152~163 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션
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1N4148
1. 반파 정류회로
2. 반파 정류회로
3. 반파 정류회로
4. 전파 정류회로
5. 클램퍼 회로
6. 건전지를 포함한 클램퍼 회로
Reference
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저
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실험 결과
십진값
카운터 순서
Q3
Q2
Q1
Qo
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
2
0
0
1
0
3
0
0
1
1
4
0
1
0
0
5
0
1
0
1
6
0
1
1
0
7
0
1
1
1
8
1
0
0
0
9
1
0
0
1
10
1
0
1
0
11
1
0
1
1
12
1
1
0
0
13
1
1
0
1
14
1
1
1
0
15
1
1
1
1
십진값
카운터 순서
Q3
Q2
Q1
Qo
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
2
0
0
1
0
3
0
0
1
1
4
0
1
0
0
5
0
1
0
1
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VR1
VR2
VR3
3.6V
4.3V
1.6V
V1 선택
VR1(1)
6.1V
VR2(1)
1.8V
VR3(1)
-1.9V
V2 선택
VR1(2)
-2.5V
VR2(2)
2.5V
VR3(2)
3.5V
실제 전류
(기본 회로)
IR1
IR2
IR3
7.6mA
-13.4mA
5.8mA
V1 선택
IR1(1)
12.9mA
IR2(1)
-5.8mA
IR3(1)
-7.1mA
V2 선택
IR1(2)
-5.3mA
IR2(2)
-7.6mA
IR3(2)
12.9mA
3.4 실제 실험 결과
실제
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실험이었다. 위 실험 결과 분석에도 언급했듯이 =1kΩ일 때 보다 =4.7kΩ인 경우의 값이 약 5배 증가했다. 이는 의 관계식을 통해서 알 수 있듯이 가 4.7배 증가하면 도 4.7배 증가하기 때문이다. 예비 레포트 ‘1) 기본 OP앰프 응용회로 - (1) 부임피던
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