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원활한 실험을 할 수 있다는 새삼스러운 점을 느꼈다. 그래서 다음 실험부터는 사전에 조금이라도 준비를 해서 실험을 원활하게 할 수 있게 할 것이다. 1. 실험목적
2. 장비 및 부품
3. 준비지식
4. 실험
5. 실험 결과
6. 고찰
7. 실험후기
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기초 전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1
http://heebok.kongju.ac.kr/experiment/electron/em12.html 1
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회로에 흐르는 전체 전류를 계산하여 표에 기록한다.
주파수 [㎐]
VR [v]
VLC [v]
전체전류
I [A]
fR - 6000
fR - 5000
fR - 4000
fR - 3000
fR - 2000
fR - 1000
fR - 500
fR
fR + 500
fR + 1000
fR + 2000
fR + 3000
fR + 4000
fR + 5000
fR + 6000
4. 참고문헌
-최신기초전기전자실험 (김지
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기초전기전자공학실험 - 대한전자공학회, 2006, 교학사 Lab 7. 테브냉의 정리
1. 실험목적
2. 이론
1) 테브냉의 정리
3. 사용기기 및 부품
4. 실험순서
[실험 1 : 옴미터의 사용]
[실험 2 : Rl이 330Ω일 때 Il, Vth, Rth의 측정(=330Ω)]
[실
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회로에서 배웠던 잊혀져 가던 기본적인 소자들에 대한 내용들도 다시 한번 볼 수 있어서 좋았던 것 같다. 근접센서
2) 유도성 근접 센서유도성 근접 센서(Inductive Proximity Sensor)
3) 용량성 근접 센서용량성 근접 센서(Capacitive Sensor)
결과유
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.)
4. 전압을 측정하자.
5. 실험 결과로부터 AgCl 의 Ksp 값을 구해보고 문헌 값과 비교해 보자. <결과레포트>
1. Abstract & Introduction
2. Data & Results
3. Discussion
4. Reference
<예비보고서>
1. 목적과 원리
2. 시약 조사 및 실험 기구
3. 실험 과정
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회로, 전자회로 중 택1하여 10학년에 이수하도록 한다. 11학년 전문교과와의 원활한 학습 연계를 위하여 10학년에 계열 필수과목 중 공업입문(4단위), 기초제도(4단위)와 정보기술기초(6단위)를 10학년에 이수하도록 하였다. (단, 전기과의 기초제
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회로, 전자회로 중 택1하여 10학년에 이수하도록 한다. 11학년 전문교과와의 원활한 학습 연계를 위하여 10학년에 계열 필수과목 중 공업입문(4단위), 기초제도(4단위)와 정보기술기초(6단위)를 10학년에 이수하도록 하였다. (단, 전기과의 기초제
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무렵에 다시 상승했다. 실험 과정
(1) 부품 가져오기
(2) 선그리기
(3) 파라미터 설정하기
(4) 시뮬레이션 조건 설정하기
(5) Marker 설정하기
(6) 실행하기
서론
1. 실험목표
2. 실험목적
3. 학습내용
(7) 연습문제
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22-2로부터 구하여라.
(6) Si및 Ge다이오드가 파괴되지 않기 위한 순방향전압의 한계값을 표 22-1,22-2로부터 구하여라. 1.관련자료
2.참고문헌
3.관련이론
4.실험준비과제
5.실험 장비및 부품
6.실험 순서
7. 실험결과
●고 찰●
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