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실험 결과를 바탕으로 표와 그래프를 그려본 결과, 1N4148과 1N4733 다이오드의 수치 모두 전압이 0.5V부터 천천히 올라가다가, 1~2V 시점부터 급격하게 증가됨을 알 수 있다.
7. 참고문헌
전자회로실험
p.2~5 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초
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실험 장비와 시설은 공동으로 사용하므로 사용 후에는 원래 상태로 정리한다.
실험 보고서는 결과를 나열하기보다 이론과 연관 지어 결과를 정리하고, 만약 오차가 있다면 그 원인을 분석해내는 것이 중요하다.
5. 참고문헌
-기초전자실험 wit
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전자회로실험 P.85~93
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4
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3-3 실험 ③
(전자회로 실험 P. 29 그림 4-8)
1. 전자회로 실험 P. 29 그림 4-8의 회로를 구성한다.
2. 오실로스코프로 입력과 출력파형을 관찰하고, 측정된 파형을 전자회로 실험 P. 30 그림 4-9에 도시한다.
3-4 실험 ④
(전자회로 실험 P. 30 그림 4-10)
1.
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전류는 점점 작아지므로 저항의 전압은 점점 작아지며
커패시터가 방전될 때는 전류의 방향은 반대이고 점자 전류가 0이 됨에 따라
전압도 반대쪽으로 높아졌다가 0이 될 것이다. 1. 목 적
2. 실험준비물
3. 이 론
4. 실험계획서
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회로와 RL회로의 전달함수의 크기와 주파수특성을 실험적으로 구할 때 측정주파수를 각각에 대해 결정하라. (실험계획 3.2, 3.6 참조. 예 : 100, 200, 400, 600 ㎐ 등, 그러나 변화가 많은 부분에서는 주파수 간격을 작게 해야 한다.)
초기 30㎑까지 곡
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1. 실험 목적
전기-전자 회로를 구성하는 기본 소자인 저항, 인덕터, 커패시터에 대한 전압과 전류 사이의 관계 및
위상 개념을 파악하고, 각 소자의 전기적 특성을 이해한다. 2. 실험 이론
(1) 저항(R) 회로
저항은 전류의 흐름을 방해하며
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1. 실험 목적
(1) 복잡한 회로를 하나의 전원과 하나의 저항으로 구성된 등가회로로 표현하는 방법으로 테브난의 정
리 및 노튼의 정리를 이해하고, 실험을 통해 확인한다. (2) 전원이 갖고 있는 내부 저항의 영향이 실험 결과에 미치는 영향을
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1. 실험 목적
여러 개의 독립 전원이 있는 선형회로에서 어떤 저항의 양단에 걸리는 전압 또는 이에 흐르는 전류를
중첩의 정리를 이용하여 구하는 방법을 이해하며, 실험을 통해서 확인해본다. 2. 실험 이론
(1) 선형소자와 선형회로
선형
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1. 실험목적
휘트스톤 브리지를 통하여 평형상태를 이용한 정밀 측정 방법을 이해하고, 휘트스톤 브리지에 의한 저
항 측정 방법을 실험한다. 2. 실험 이론
휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는 회로의 평형상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을
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