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결과적으로 이 회로의 구조가 변수 변화에 덜 민감한 것이다.
컬렉터 귀환 회로에서의 이론적 전압 해석은 V_CC-(I_C+I_B ) R_C-I_B R_B-V_BE=0 이고 식 I_C=βI_B 식을 통해 정리하면 쉽게 전류를 구할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시
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회로에서 Vdc를 구할 때는 두 개의 Si 다이오드를 통과 하므로 2VT를 빼야 하는데 처음에 하나의 다이오드의 값만 빼서 실험 결과값이 크게 달라졌었다.
10) 트랜스포머의 2차 전압을 설정하기 위해서는 DMM으로 확인하며 함수 발생기로 1차 전압
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ACM이 0이 되어 CMRR값이 무한대가 되지만 실제로는 그럴 수 없게 되는 것이다. 따라서 이 값이 크면 그만큼 증폭률이 좋은 회로임을 알 수 있다 요약문 1
실험내용 2
실험결과 8
문제점 및 애로사항 16
설계프로젝트 진행사항 16
결론 16
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회로는 두개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로 β의 실효값(β_D)은 각 트랜지스터 값의 곱과 같다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 3
실험방법 및 유의사항 11
참고문헌 11
(별지) 측정 Dat
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실험에 사용할 회로를 삽입하고, 간단한 동작원리에 대하여 설명하고 실험의 전반적인 Procedure를 설명하고 무엇을 측정하여 어떠한 것을 얻고자 하는지를 설명한다. PSPICE 시뮬레이션 결과를 여기에 삽입한다. 여러 개의 회로를 실험했을 경우
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1. 저항과 DC 전류/전압 측정
2. Ohm의 법칙과 저항의 직렬, 병렬
장비를 이용한 저항 전압 전류 측정
옴의 법칙과 저항의 최대허용전압
계산과정 사진 첨부 1. 저항과 DC 전류/전압 측정
2. Ohm의 법칙과 저항의 직렬, 병렬
장비를 이용한 저
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JFET에 연결된 외부회로가 동작 영역을 결정한다. 이 실험에서는 JFET의 주어진 회로 규격들에 부합하여 선형 영역에서 동작하도록 바이어스 한다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 1
실험방법 및 유의사항 5
참고문헌 5
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관련 이론, 시뮬레이션 결과, 실험방법 및 유의사항 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 5
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다이오드의 정류 기능을 알아보았다. 정류 회로는 다이오드가 ‘순방향 바이어스 전압’이 걸렸을 때에만 전류를 흘려주는 특징을 이용한 것이다. 요약문
실험내용
실험결과
문제점 및 애로사항
설계프로젝트 진행사항
결론
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1. 논리회로의 기초 및 응용
2. Boolean 대수와 논리식 간략화
실험 계산값, PSPICE값, 측정값 datasheet 1. 논리회로의 기초 및 응용
2. Boolean 대수와 논리식 간략화
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