|
실험이었다면 측정장비의 내부저항이나 도선, 주변환경의 작은 요소가 큰 변화를 만들 것이다. 이번 실험에선 하지 않았지만 기본적인 정류회로에 캐패시터를 달아 평활회로를 만들었을땐 어떤 결과를 나타낼지 생각해보면 많이 도움될 것
|
|
|
전류와 =로 계산한 전류의 값이 미세한 차이를 보였는데 이것은 이상적이지 않은 환경에서 발생하는 측정장비의 내부저항이나 도선 등의 영향 또는 전원공급기를 조절하는 미세함 때문에 차이가 있었을 것이다. 1. 실험회로
2. 실험결과
|
|
|
, 바이어스 전원의 배치에 따라 각각 다른 레벨을 제한할 수 있다. 실험에서 구성했던 회로들 말고도 소자를 다르게 구성했을 때 어떤 파형을 나타낼지 생각해보면 응용에 많이 도움될 것이다. 1. 실험회로
2. 실험결과
3. 결론 및 토의
|
|
|
전압과는 다소 오차가 있는 결과이다. 각 회로 소자 이외에, 다른 곳에서 발생하는 전압차의 존재를 오차의 원인으로 추측할 수 있다.
그러나 근사한 위상차를 실험 과정의 계산을 통해 얻을 수 있었다는 점에서
VC = sin(2πft) 일 때
IC = C(dv/dt) =
|
|
|
실험에서 전압값을 각각 같은 값을 흘려주었기 때문에 출력 전류 값은 가역정리에 따르면 입력단자와 출력 단자가 바뀐 회로에서도 같은 값이 나와야 한다. 그것을 위의 실험결과를 통해서 확인 할 수 있다. 전압이 낮을 때는 어느 정도 오차
|
|
|
회로에서의 전류계를 제거하고 전력계의 전류 단자를 D-E에, 전압 단자를 D-F에 연결시킨 후 ⑤의 ⑷, ⑸, ⑹의 각 실험회로에서의 유효전력을 측정한 후 표 15.4 ( b )를 완성하라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 (교학사, 대한전자공학회, 1
|
|
|
기록된 값과 비교한다. 이들 값으로부터 회로의 어떤 부분이 잘못되었는지를 결정한다. 잘못된 부분을 찾는 과정을 기술하고, 회로를 바르게 교정한다.
과정16
VAA
VA
VB
VC
25V
25V
24.34V
12.17V
표3-3 1. 실험 목적
2. 이론 요약
3. 결과예측
|
|
|
실험 할 때 앞의 실험들과 동일하게
한 것 같은데 어째서 병렬회로실험에서만 이렇게 큰 오차가 난 것인지 모르겠다. 1. 목적
2.실험도구 및 장치
3. 이론
4. 실험방법
<직렬 회로 실험>
<병렬 회로 실험>
5. 결과
<직렬 회로>
<병렬
|
|
|
실험하였는데, 이는 더 확장하여 n 진 카운터의 설계를 할 수 있게끔 된다는 사실을 알 수 있다. n 진 카운터는 n 번째 수가 왔을때, 어디에 1이 오느냐에 따라서 NAND gate를 사용해서 CLR를 시켜주면 된다.
논리회로실험
결과보고서
실험 9
Shift Regi
|
|
|
전류는 브리지 회로의 가지에 흐르는 전류에 필적할 만하다.
휘트스톤 브리지는 저항값 측정 외에도 다른 용도로 사용될 수 있다. 브리지 회로는 온도, 빛, 습도, 무게, 혹은 다른 측정량의 변화를 표시하기 위한 고감도 전압 발생 회로에 자주
|
|
메뉴펼치기
