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회로이고 이득이 10배가 되는 것을 알 수 있다.
2) 실험2 : 비반전 증폭기
1) 비반전 DC 증폭기
비반전DC 증폭기 회로도
시뮬레이션 결과
분석 : 다음은 비반전 직류 회로인데 이것은 전압원이 (+)단자에 연결이 되어있는 것이다. 이것으로써 비반
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주파수 이다.
2 Pre-Lab(예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 :
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
Multisim을 이용한 시간영역에서의 저역통과필터의 주파수 특성 측정 결과
주파수 [Hz]
입력 전압 첨두간 전압[V]
출력
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0.989 1.0111 1
5 0.85 0.085 5
5 0.767 0.0153 10
5 1.25 0.025 50
5 1.86 0.0186 100
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5. DISCUSSION
실험1 RC회로
그림1에서 (a1,b1),(a2,b2),(a3,b3),(a4,b4) 는 각각 30kΩ,50kΩ,80kΩ,300kΩ 일 없음
물리실험, 수동소자인 R, L, C 소자의 직류, 교류 특징을 이상적인 경우와 실제소자의 경우를 비교, 물리실험 수동소자인 R, L, C 소자의 직류, 물리실험 - 수동소자인 R, L, C 소자의 직류, 교류 특징을 이상적인 경우와 실제소자의 경우를 비교,
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저항값들의 합의 곱이다.
쉽게 시정수를 구하기 위해서는 capacitor 양단에 Thevenin 등가회로를 사용하여 equivalent circuit으로 바꾸어 Req를 구하여 로 구한다. 1. 목적
2. 준비문제
1) 전류계
2) 전압계
3) 오실로스코프
4)R-C 회로의 과도응답
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회로해석 및 반도체소자 1, 한국맥그로힐, 2002
Thomas L. Floyd, David M. Buchla 저, 송홍복 외 2명 역, 기초 전기전자공학, 청문각, 2011 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 전자공학의 교과과정
Ⅲ. 전자공학과 초전도이론
Ⅳ. 전자공학과 제어시스템
Ⅴ. 전자공
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실험에서는 C-R회로와 R-C회로를 직접 구성하고 각 회로 간의 특성과 차이에 대해 알아보았다.
실험 1의 C-R회로에서는 출력 전압이 저항 R에 걸리는 전압 이다. 주파수 f가 커질수록 용량 리액턴스 의 값은 작아진다. 저항 R과 커패시터 C는 직렬
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특성과는 아직 거리가 멀다. 이 회로를 해석하고 그 특성을 구하는 일은 어려운 일이 아니라고 느껴질지 모르겠다. 그러나 문제는 그다지 간단하지는 않다.
[그림 2] 가장 간단한 저역 통과 필터 회로
3. 참고 문헌
전자공학의 기초 (이영근 저)
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주파수에서의 dB값을 알 수있는 유용한 식을 얻을 수 있다
앞에서 해왔던 실험에 비해 새로운 개념이 많이 등장했다. GBP나 slew-rate들도 알게 되었다. 아직 의용전자2는 진도를 나가지 못해 이론적으로 아는 점이 없어 시뮬레이션 분석이 힘들었
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실험 목적
ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ
3
2.2 해설
ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ
3
2.2. 1 전자회로와 잡음
ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ
3
2.2. 2 잡음에 대하여
ㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍㆍ
4
2.2. 3 소음과 전기 잡음과의 관계
ㆍㆍ
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주파수가 반드 시 일치하는 것은 아니다. 공진 현상을 감쇠하기 위해서는 1-2상 여자방식을 사용하거 나 기계적 감쇠기와 전기적 감쇠기를 사용할 수 있다.
3. 실험 장치
① 컴퓨터
② 스테핑 모터 제어 장치 U-1009E
③ 전원 장치
4. 실험 방법
①
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