|
회로는 브리지 정류회로와 저주파 필터를 연결한 회로이다. 두 개의 다이오드만이 순방향으로 연결되어 있고 두 개의 다이오드는 역방향으로 연결되어 있으며, 커패시터와 저항이 병렬로 연결되어 있다. 출력전압이 증가할 때 커패시터도 동
|
|
|
다이오드에 의한 전압강하가 -0.7V 더 일어나게 된다. 전원변압기의 1, 2차 코일에 중간탭이 필요하지 않아서 소형 경량으로 제작이 용이하다는 점이 있다.
◎ 실험7. 우리 가정에서 실제로 사용되는 어댑터와 같은 장치에서 사용하는 정류회로
|
|
|
정류를 통과한 파형 : 최대 전압 를 가지는 전파정류 파형
<그림 2.1> 스코프 측정 화면
<그림 2.2> 회로도
<그림 2. 3> spice 결과
* 변압기 출력의 측정값은 6V가 아닌 다이오드의 전압 강하로 인해 5.3V임을 확인 할 수 있다.
브릿지 정
|
|
|
다이오드의 항복영역에서의 동작을 만족시키기에 이상이 없는 회로이다. 하지만 브릿지 정류회로는 전파정류 회로보다 한번더 다이오드 전압강하가 일어나므로 똑같은 피크 전압으로 정류가 되었을때 커패시터와 제너다이오드에 걸리는 전
|
|
|
정류회로
전파 정류 회로의 일종으로, 다이오드 4개를 브리지 모양으로 접속하여 정류하는 회로. 중간 탭이 있는 트랜스를 사용하지 않아도 됨.
4. 테브닌 등가회로
부하의 관점에서 보면, 이상 전압원, 전류원 및 선형 저항으로 구성된 어떤
|
|
|
일반물리실험 북스힐, 김영식 외12명 공저, 3-139~141 1. 실험 목적
2.실험 원리
반도체란 무엇인가
반도체의 특성
반도체의 기능
반도체의 기능별 용도
반도체 정류회로
3. 응용방법
4. 실험 방법
|
|
|
준 값을
최대값으로 변환하여 표시하였다.
① 2차측(p-p)=
② 위에서 구한 값은 정현파의 실효값이므로 최대값 : 2차측(p-p)×
∴ 전압의 피크값은
③ 출력파형은 첨부 하였음. (파형은 다이오드의 방향이 바꿔어서 파형이
반대로 나온다.)
|
|
|
진성 반도체 속에 어떤 불순물을 첨가함으로서 특성을 현저하게 변화시킬수 있다. 1.반도체의 성질
2.N형 반도체와 p형반도체
3.Pn접합다이오드
4.다이오드의 근사모델
5.반파정류
6.전파정류
7.특수 다이오드
8.기타
|
|
|
정류용 다이오드를 사용한다. 하나의 다이오드는 반파정류(+와 -가 교대로 변화하는 전압의 + 또는 - 중에서 한쪽만 사용)밖에 할 수 없지만, 다이오드를 4개 조합하면 전파정류를 할 수 있다. 4개를 조합한 것이 다이오드 브리지(diode bridge)이다
|
|
|
Diode의 문턱전압은 0.6V로 알려져 있고 LED의 문턱전압은 1.8V로 알려져 있는데 실험에서 Diode는 0.735V가 나오고 LED 중 노란색은 1.777V, 빨간색은 1.667V로 비슷하게 나왔다.
세 번째 실험에서는 정류회로를 만들어 보는 실험을 했는데, 반파 정류 회
|
|
메뉴펼치기
