|
는 출력의 50% 레벨까지의 시간을 측정하라. 보고서에 측정된 시간을 기록하고
제조사의 데이터 시트의 최대치와 비교하라.
♠ 참고 자료 ♠
● 그림 17-2 (a) 번 시뮬레이션
● 그림 17-2 (b) 번 시뮬레이션 ■ 실험 목표
■ 사용 부품
■
|
|
|
는 않을 것 같다.
4) 멀티미터를 이용한 전압측정, 전류측정: 전압 공급계를 통해 전압을 높여가며 측정 하니까 옴의 법칙에 의거하여 전압에 전류와 저항이 비례 할 것으로 예상된다. SI 단위계
오차와 오차함수
정확도와 정밀도
측정 및
|
|
|
회로의 정상상태응답
회로함수의 응답을 페이저 관계식으로 바꿔쓰면
인 관계가 성립한다. 그러므로 정상상태의 응답 x(t)는
가 된다.
3. 실험 장비 및 부품
① 함수 발생기 1대
② DC 전원장치
③ 오실로스코프 1대
멀티미터 1대
가변저항기(de
|
|
|
디지털 논리회로, 연학사
박인정, 소프트웨어와 하드웨어, 청문각
인텔 홈페이지 www.intel.com
AMD 홈페이지 www.amd.com I. 서론 - 마이크로프로세서의 출현
II. 본론
1. 마이크로프로세서란?
(1) 마이크로프로세스의 발전 과정
(2) 마이크로
|
|
|
디지털 논리회로, 연학사
박인정, 소프트웨어와 하드웨어, 청문각
인텔 홈페이지 www.intel.com
AMD 홈페이지 www.amd.com I. 서론 - 마이크로프로세서의 출현…………………………………………………1
II. 본론………………………………………
|
|
|
사용된 부품 멀티미터
① AD590
② OP 앰프 uA741
4. 실험 방법
실험 12-1 : 전류 출력형 IC화 온도 센서
그림 37 전류 출력형 IC 온도 센서 실험회로
(1) 회로 구성도와 같이 회로를 구성한다. 접촉식 디지털 온도계를 AD590의 표면에 부착한다. 전류계는
|
|
|
회로에 대한 실험을
하면서 지금은 프로그램으로 실험을 하고 있고 또 실험실에서는 단순한 회로를 실험하기 때문에 오차가
적게 나오겠다고 생각 되지만 실제로 우리가 사용하는 물품에는 엄청 복잡한 회로가 연결 되어 있는 것이기
때문
|
|
|
는, 드레인 전압이 게이트 전압보다 적어도 만큼 더 낮아야 한다는 것을 의미한다.
실험 예상 결과
♠ 실험 장비 및 재료
DC power supply 2개
디지털 멀티미터, 전류계(0~10mA)
트랜지스터 2N5484(N채널 JFET)
SPST 스위치 2개
1. 회로를 구성하고 VGG는
|
|
|
회로
그림 24 OP 앰프를 이용한 포토 트랜지스터 회로
(1) 회로 구성도와 같이 회로를 구성한다.
(2) SW1을 off한 상태에서 출력전압 V0를 측정하여 표 16에 기록한다.
(3) SW1은 off, SW2는 on한 상태에서 출력전압 V0를 측정하여 표 16에 기록한다.
(4) SW1
|
|
|
는 회수가 거의 무한대인 반면에 플래시메모리는 약 1백만번 정도가 가능
3. Flash Memory 종류
용도
특징
사용 기기
NOR형
프로그램 코드 저장용
병렬적인 회로구성으로
읽기 속도 빠름
휴대폰,
디지털 셋탑박스
NAND형
데이터 저장용(메모리 카드
|
|
메뉴펼치기
