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전자회로 실험 P. 29 그림 4-8 (b) 시뮬레이션 결과)
5. 실제 실험 결과
① 그림 4-4 실험 (전자회로실험 P.28)
결과 설명 : 채널1에는 OUTPUT, 채널2에는 INPUT 파라미터입니다.
VOLT/DIV는 멀티미터로 측정한 결과, 채널1과 채널2 각각 2.1V와 4.3V로 측정되었
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되었는지 계속 돌아보다가 잘 모르겠어서 결국 조교님께 질문하였더니, 애초에 식이 정확한 식은 증폭기와 적분기 혹은 미분기의 성질을 모두 포함하게 만든 것이고 편의상 1+( )^2의 형태로 만들어서 사용했기에 1을 빼고 계산하면 당연히 오
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함수발생기를 사용하여 <그림 2.10>의 회로를 구성하 라. 는 3[Vrms] 50[kHz] 정현파로 하라. 오실로스코프의 채널 1에 , 채널 2에 을 인가하여 와의 첨두간 진폭 ()과 위상을 측정하라. 단, 의 위상을 0로 하 라.
진폭
위상 (0)
(4) <그림2.10>의
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사용하기도 한다.
다른 필터인 CR필터는 “매칭”구조에서 저주파 발진을 최소화하기 위해 부착한다. 즉 주파수 성분 중 에서 저주파를 없애야 할 때 사용되는 필터이다. RC회로와 비교했을 때 쓰임새가 상당히 제한적이다.
실험에서 발생한
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사용하기도 한다.
다른 필터인 CR필터는 “매칭”구조에서 저주파 발진을 최소화하기 위해 부착한다. 즉 주파수 성분 중 에서 저주파를 없애야 할 때 사용되는 필터이다. RC회로와 비교했을 때 쓰임새가 상당히 제한적이다.
실험에서 발생한
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회로를 구성하여라.
(2) 함수발생기의 출력이 1kHz, 2Vp-p 인 정현파를 갖도록 맞추고 회로의 입력으 로 공급하여라.
(3) 저항 R2 양단에 걸리는 전압 VR2를 옴의 법칙을 이용하여 계산하여라.
(4) 저항 R2 양단에 걸리는 전압 VR2를 DMM 혹은 VOM을 사용
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되지 않는 저역 통과회로의 특성을 확인할 수 있었다. 이를 통해 고역 통과회로(HPF)의 특성 곡선도 유추할 수 있었다. 첫 실험이라 갈피를 잡지 못하고 서툰 면을 보였지만, 실험을 하면 할수록 전자회로와 회로이론과 같은 이론과목을 실험을
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되면 본격적인 실험에 들어가도록 한다.
1) 위 왼쪽 회로도를 보고 브레드보드에 OP AMP와 저항, 전선, 캐패시터를 이용하여 위 오른쪽과 같이 제작한다.
2) 프로토보드에 브레드보드를 연결하여 ELVIS프로그램을 실행한다.
3) 함수발생기의 입력
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는 시간에 따라 그 값이 변화하므로 전류와 전압의 실효값을 사용한다. 따라서 교류전압의 실효값을 Ve라고 하면, 전류의 실효값 Ie=Ve/Z가 된다.
4. 실험도구
오실로스코프
브레드보드
Law-pass Filter High-pass Filter
함수발생기
회로구성요소
10kΩ
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전자회로에 쓰이는 기기들에 대한 이해도를 높이고 그에 따른 여러 가지 사용법을 익히며 Bread Board에서 어떻게 구성이 되는가를 익히는 것을 중심으로 구성된 듯 하였다. 실험은 걱정했던 것 보다는 쉽게 이뤄 졌고 본인의 조원들이 협력하여
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