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디지털시스템, 문운당, 1998.
4. 진경시 외 2명, 디지털 공학, 기전연구사, 2000.
5. 이상문, 첨단경영정보론 : 디지털 융합과 신지식 창조, 형성출판사, 2006.
6. 김광남 외 3명, 정보화 사회의 경영학, 한올출판사, 2000. 1. 컴퓨터 시스템의 기억장
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회로를 구성하라.
(2) 입출력 그래프를 관찰 한 후 을 측정한다.
(3) DC 입력 전압을 0 ~ 10V (1V 간격)로 변화시키면서 입출력 전압을 측정하고 결과로부터 이 회로가 정전압 회로로 동작하기 위한 입력의 최소값과 전원 변동률 를 구한 후 비교한
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6
22
50
H. TTL
저전력TTL
저속도
33
1
3
L. TTL
쇼트키TTL
고속도
3
19
125
S. TTL
저 쇼TTL
보통
9.5
2
45
LS. TTL
※ IC의 디지털 논리군의 특성 비교
① 팬 아 1. 논리게이트 IC의 종류 및 명칭 분류
2. 실험 기자재 & 용도
3. 실험의 고찰 및 응용분야
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0이어야하고, 디지털 전류계를 사용하였기 때문에 오차를 줄일 수는 있지만 현실적으로 오차를 완전히 없애기는 힘들다. 회로망 정리의 검증
1. 실험목적
2. 관련사항 및 이론
3. 실험방법 및 순서
결과값
결과 및 토의
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회로에서 전압분배법칙에 따라 에 걸리는 전압 이다. 이 식을 내부저항 에 대하여 정리하면 가 되고 이 식을 통해 를 구하여 평균값을 구하니 평균 저항값이 -0.425Ω가 나왔다. 위의 표에서 이 무한일 때와 1kΩ일 때의 을 비교해보면 거의 차이
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회로의 대역폭과 Q값을 계산하는 과정에서, 실험책에 나온(병렬공진회로) 수식을 이해하는데, 많이 부족하지 않았나 싶습니다. 사전지식이 많이 모자 공부를 해갔지만 직접해보니까 어려웠습니다. 다른 실험들보다도 이론적으로 좀더 이해가
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회로를 구성하면 된다.
2. 그림 4-5와 같이 다소 복잡한 회로는 리드선을 이용하여 회로를 구성하도록 한다.
3. 전류 : 전류나 전하의 이동을 말하며 정전하가 이동하는 방향을 전류의 (+) 방향으로 정한다.
4. DVM : 디지털 전압계의 총칭(Digital Volt
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설계방법은 아닌 것 같다.
5) 만약, 일정한 조화가진 외에 섀시가 충격을 받을 때 회로기판의 변위가 어떻게 변하는지 계산하여 각각의 설계의 장단점을 비교하시오.
섀시에 일정한 조화가진 대신 크기가 10N이고 1초동안 힘이 가해지는 주기
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회로 3-1에서 주파수가 1kHz이고, 커패시터 값이 0.1uF일 때 커패시터와 저항에 걸리는 전압의 크기를 같게 하기 위한 저항값을 구하라.
- 저항에 걸리는 전압은 V=IR 이고 커패시터의 양단의 걸리는 전압은 임피던스 Zc x I 이므로 이때 커패시터와
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omentum, 제작된 coupler의 결과를 비교하여 보았다.
그림10. Actual Result
그림11. Touchstone 회로
coupler의 커플링양은 약 17.78dB로서 momentum과 비교해 볼 때 약 1dB정도 차이가 나고 설계된 커플러와는 2.7dB로 차이가 나는 것을 볼 수 있었다.
connect의 삽입
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