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회로 내부에서 발생하는 저항에서 발생한 것이다.
6 ) 문턱전압
이론 개요에서 정의한 것처럼 각 다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향
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레벨을 0에서 20dB 까지 조절한다.
출처
https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%98%A4%EC%8B%A4%EB%A1%9C%EC%8A%A4%EC%BD%94%ED%94%84
https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%95%A8%EC%88%98_%EB%B0%9C%EC%83%9D%EA%B8%B0
https://blog.naver.com/yd5334/130087019393 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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접합
https://ko.wikipedia.org/wiki/PN_%EC%A0%91%ED%95%A9
저항
https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%A0%84%EA%B8%B0%EC%A0%80%ED%95%AD
http://codingrun.com/65
브레드보드
http://codingrun.com/67?category=678395 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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이용한 다이오드를 제너 다이오드 또는 정전압 다이오드라고 한다.
2-1. 제너 다이오드의 기호와 특성
- 순방향 바이어스
일반적인 다이오드와 동일한 특성을 가진다.
순방향 문턱전압 : 0.7V
- 역 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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PSpise 모의실험 - Ch.6 신호분석기 동작 및 공통 이미터 증폭기의 주파수 응답
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 시간 영역(과도)해석을 수행하라. 또한, 회로의 Schematic 및 입력전압(), 출력전압()의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결
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회로를 점검하여, 잘못된 부분을 수정해준다.
고장부위 확산을 막기위함.
Reference
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[오실로스코프 장비 사진]
(http://w
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회로로 바꿀 수 있음을 의미한다. 여기서 VTh는 단자 ab의 개방회로의 전압이고는 RTh는 독립 전원은 단락, 독립 전류원은 개방시 단자 ab에서 들여다 본 전체 저항을 말하는 것이다.
Chapter2. 실험 결과 (시뮬레이션)
PSpice 모의실험 - Ch.3 BJT의 고
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vin), 출력전압(vout)의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라. Vsig의 Peak to peak는 10mV, freq는 1kHz로 설정하고, 두 주기의 입출력 파형이 출력되도록 설정하시오. Run to time =
(단, 트랜지스터의 제조사에 따라 실제 증폭율
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ACM이 0이 되어 CMRR값이 무한대가 되지만 실제로는 그럴 수 없게 되는 것이다. 따라서 이 값이 크면 그만큼 증폭률이 좋은 회로임을 알 수 있다 요약문 1
실험내용 2
실험결과 8
문제점 및 애로사항 16
설계프로젝트 진행사항 16
결론 16
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회로는 두개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로 β의 실효값(β_D)은 각 트랜지스터 값의 곱과 같다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 3
실험방법 및 유의사항 11
참고문헌 11
(별지) 측정 Dat
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