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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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배재흠, 수원대학교 화공생명공학과
다. 기사
Vapor Phase Cleaning : How It Works and What Can Go Wrong by Jay Tourigny and Michael Jones, Micro Care Corporation, New Britain, CT USA 1. 실험주제
2. 실험목적
3. 실험장소
4. 실험기자재
5. 실험방법
6. 참고문헌
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반도체 공정에서 가장 중요한 것은 클린룸 내 particle 제어와 시편에 붙어있는 불순물 제거인데 이번 실험에서 불순물 제어를 용이하게 하지 못해 몇 개의 시편에서는 <그림 2>와 같은 결과를 얻게 되는데 이는 공정이 진행됨에 따라 결함
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Cleaning을 소홀히 해서는 안될 것이다. 먼지도 없고 아무런 영향을 받지 않고 깨끗한 반도체를 만들기 좋은 환경은 진공이지만 현실적으로 진공에서 실험하기에는 무리가 있다. 그러나 그것을 위한 노력은 할 수 있다. 화학가스의 유입과 공정
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실험방법 :
① ITO 기판의 Cleaning(전처리)
② Spin coater위에 기판을 올려놓고 진공을 잡아 고정시킨 후, photo resister를
뿌려 전면에 고르게 코팅
③ PR coating 후 잔류용매를 제거하고 기판과의 접착력을 높히기 위하여
soft baking(100℃, 10분) 실시
④
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반도체 공정 장비 진행 방법
1. Cleaning
(1) 아세톤
(2) 메탄올
(3) 물로 헹굼(Di Water)
(4) SPM(황산:과산화수소=1:1)
(5) Di Water로 헹굼
(6) BOE (6:1)
2. LPCVD 장비 사용방법
(1)Chamber를 내림(Chamber안을 Cleaning한 후 Chamber를 내림)
(2)Process STB(Process S
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http://cafe.naver.com/6cmt/200
[21]. http://csyeng.co.kr/csyeng/product/sub1.php?section=01
[22]. http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=508600&cid=42380&categoryId=42380 1.실험제목
2.실험조&실험자
3.실험목적
4.실험이론
5.장치 및 시약
6.실험방법
7.참고문헌
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서론
2. 실험 방법
가. ITO Scribing
나. ITO Glass Cleaning
다. ITO Pattering
라. Solution Process를 이용한 적층
마. EIL 및 전극 증착
바. 봉지공정.
사. 검사
3. 결과 및 고찰
가. 결과
나. 고찰
4. 결론
5. 참고문헌(reference)
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반도체 시장 점유율 1위라는 자리를 갖고 있음에도 불구하고 반도체 공정에 필요로 하는 장비는 모두 외국에 의존하고 있는 현실이다. 그렇다면 왜 우리 나가 직접 반도체 설계 장비 사업에 뛰어들지 못하고 있는 건가? 그것에는 많은 걸림돌
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반도체 생산장비, 대기환경 측정기기, 화학공정 장치, 가스분석기 및 의료장비 등 기체의 질량유량을 정밀 계측 및 제어하는 기기에 다양하게 사용되고 있으며, 순도 99.9999%의 가스 사용을 할 만큼 정확성을 요구하는 반도체 분야에서 한정되
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