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: 광검출 특성을 응용하여 광 센서로 사용
9.배리스터 다이오드: 트랜지스터의 출력단의 온도 보상에 사용 1. 다이오드란.
2. n형반도체 p형 반도체란
3. 다이오드의 특성곡선
4. 다이오드의 종류
5. 반파, 전파, 브릿지 정류회로
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Full-Wave Rectification
전파 정류 회로
- Bridge Rectifier 브리지 정류기
- Center tapped Rectifier 중심탭 변압기 정류기 Full-Wave Rectification
전파 정류 회로
- Bridge Rectifier 브리지 정류기
- Center tapped Rectifier 중심탭 변압기 정류
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정류회로
● 브리지 정류회로의 직류출력전압의 이론값과 측정값을 구한다.
이론값
2차 근사
DVM
12.2v
17.25v
9.5v
10.98v
10.09v
DSO
12.3v
17.39v
9.4v
<표 1 브리지 정류회로 측정>
● 브리지 정류회로의 입력 파형과 출력 파형을 그려본다.
<그림 7
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회로
(3) RL 저역통과 필터
1) 인덕터와 저항의 직렬결합
2) 전달함수
3) 시상수 추출회로
(4) RC 고역통과 필터
1) RC 저역통과 필터와 연결순서가 바뀐 형태 - 저항 양단이 전압출력
2) 차단주파수 : =
3) 전달함수
4) 시상수 추출회로
(5) RL 고역통과
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회로 연결은 옆과 같다. 베타 측정 실험 회로에서 컬렉터에 연결된 저항들을 제외한 것과 동일한 회로이다.
1. CH1 DC 1.5V, CH2 DC 0V인 상태에서 5kΩ 가변저항을 조절하여 베이스 전류가 10μA가 되도록 한다.
2. 멀티미터를 컬렉터와 CH2 입력 전압 사
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회로를 꾸민다.
2. VDD를 10V로 고정시킨 후 VGG를 조절하여 VGS를 0V부터 5V까지 0.4V씩 증가시키면서 ID를 측정하여 표에 기록한다.
3. X축을 VGS, Y축은 ID를 갖는 그래프를 그린 후 Vt를 찾는다.
4. 구한 Vt를 이용하여 K를 구하고 표를 채운다.
<실험
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리고 인가전압 등을 나타내는 완전한 회로도를 작성한다. 저항값들을 구하기위한 계산과정 또한 보인다.
5) 전원을 끄고 스위치를 개방한 상태로 4)에서 설계한 회로를 구성한다. 실험조교에게 회로를 확인받은 후, 회로에 전원을 인가하고 전
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회로에서 분리시킨다.
※ Part C
분압기의 저항이 3kΩ이 되도록 하여 앞의 과정을 반복한다. 실험전압은 6V, 8V, 10V, 그리고 12V이며, “Formula Test\"의 전압은 7V, 13.5V이다.
※ Part D
분압기의 저항이 4kΩ이 되도록 하여 앞의 과정을 반복한다. 실험전
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회로의 전류에 미치는 영향을 관찰한다. 먼저, 저항값을 측정한 후, 회로에 저항기를 연결하고 전류를 측정한다.
※ 부품이 회로에 연결된 상태, 특히 회로에 전류가 흐르는 상태에서는 부품의 저항값을 측정하지 말아야 한다.
2. 1-kΩ 저항기
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= hν(h는 플랑크 상수, ν는 주파수)으로부터 빛의 색에 따라 LED를 동작시키기 위한 전압이 다르다는 것을 알 수 있다. 즉, 주파수가 높을수록 높은 전압이 필요하게 되는 것이다. 따라서, 적외선LED가 가장 낮은 전압에서 구동되고, 그다음 적색,
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