|
반파만을 이용하는 방식을 단상 반파 정류라 한다. [그림 8 (a)]의 파형에서 보는 바와 같이 부하에 흐른 전류는 맥동이 심하다. [그림 8 (b)]는 다이오드 4개를 브리지 모양으로 접속한 회로인데, 이 경우에는 정방향, 역방향의 교류 전압을 모두
|
|
|
정류회로
7)표 4-6(b)의 반파정류회로의 출력파형으로부터 평균값을 구하여라.
최대점이 16V이고, 반파정류의 평균값은 = 5.66 V
8) 표 4-7(b)의 변압기 중간탭을 이용한 전파정류회로의 출력파형으로부터 평균값을 구하여라.
첨두값이 24V 이고, 평
|
|
|
회로를 구성 하는 것 외에는 이때까지의 실험 보다 수월하게 실험을 할 수 있었던 것 같다.
다이오드를 통과하기 전, 후의 전압강하를 비교해면서 다이오드의 장벽전위에 대해 알 수 있었고, 반파 정류기와 전파정류기에 의한 정류된 파형들
|
|
|
정류작용 [ 반파 정류회로 ]
P형 반도체와 N형 반도체를 접합하여 반도체를 다이오드를 만든다.
1) 순방향: P에 (+)전압을 N에 (-)전압을 가하면 전류가 흐른다. 이를 순방향이라한다.
2) 순방향과 반대로 전압을 가하면 전류가 거의 흐르지 않는
|
|
|
제3장 다이오드 정류회로
3-1 ⅰ)
ⅱ)
3-2 (a)
(b)
(c)
3-3 (a)
(b)
3-4 ⅰ)
ⅱ)
3-5 (a) 은 3상 반파정류 회로의 출력전압 평균값과 같으므로
(b)
(c)
3-6
3-7 (a)
(b)
(c)
3-8
3-9 (a)
(b)
(c)
3-10 (a)
(b)
(c)
제4장 위상제어 정류회로
4-1 (a)
(b)
(c)
4-2 (a)
(
|
|
|
정류되어서 (c)와 같은 형태가 된다. 이러한 정류를 반파 정류라 한다.
《그림 3》는 정류 소자 2개를 접속한 것이며 이 경우에는 2개의 정류 소자의 전류가 겹쳐서 저항에 흐르는 전류는 쉬는 기간이 없기 때문에 (c)와 같이 정류된다. 이것을
|
|
|
의 법칙으로 구하고, 이를 다시 키르히호프의 전압의 법칙으로도 구하여라.
측정 위치
전류값
I1
1mA
I2
4mA
I3
5mA
⑦ 그림 1-15(a)에서 I1\', I2\', I3\'을 계산하여라.
- 그림 1-15(a)를 계산하면
측정위치
전류값
I1′
4mA
I2′
2mA
I3′
2mA
⑧ 그림 1-15(b)에서
|
|
|
반파정류회로(half-wave rectification) >
4. 결과 및 토의
ㆍ 아래 그림과 같이 오실로스코프에 그래프가 나왔고, 2V의 전원을 연결했을때의 다이오드 전압값은
0.7V가 나왔다. 그래프로는 역방향으로 되어있지만 실험 시엔 순방향으로 했는데 결과
|
|
|
회로를 만들어 약 1V 의 전압 상승효과를 나타냄
4.사진자료
5.조원별 역할분담
반창우-회로제작,부품구입
이지용-회로제작,데이터검색
백정열-결과보고서,파워포인트
6.설계 추진 일정
1) 주제탐색 및 결정 - 1주차
2) 자료 수집 - 2주차
3) 하드
|
|
|
그리고 QB가 High로 출력된 구간 50~60ns에서는 Y2가 출력되었다. 마지막으로 QA와 QB가 Low인 구간 70~80ns에서는 Y0가 출력되었다.
이러한 원리로 작동한다는 것을 예비보고서를 쓸 때에는 몰랐지만 이번 실험을 통해서 알게 되었다.
1. 실험 결과
|
|
메뉴펼치기
