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<MODE>를 NORM 상태에 두고 <AC-GND-DC>를 DC에 그리고 <VOLTD/DIV> 단자를 10V에 둔다. 회로에 전원을 가하여 출력신호 Vo를 오실로스코를 이용하여 출력파형을 관찰하고 진폭을 측정하여 기록한다.
그림 4- 다이오드 브릿지 전파 정류회로.
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특성
12. 인덕턴스 특성
13. 브리지회로를 이용한 L,C 측정
14. R-L, R-C 회로 특성
17. 공진회로 특성
18. 오실로스코프의 x-y축 동작법
20. 회로망 정리의 검증
21. 필터회로 특성
23. 미분 및 적분회로
24. 다이오드의 기초
26. 다이오드 정류회로
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회로 전압이 0.66V인 경우에 아래의 측정 자료로부터 필팩터를 계산하라
V(volts)
0.10
0.30
0.50
0.55
0.58
0.60
0.62
0.64
0.66
Ic(mA)
1.0
1.0
1.0
0.98
0.95
0.89
0,77
0.51
0.0
Pc(mW)
0.1
0.3
0.5
0.54
0.55
0.53
0.48
0.33
0.0
FF
개회로전압 : 저항이 일 때의 전압 = 0.66V
단락전류 :
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의 회로에 대해 실험과정 (4)를 반복하고 그 결과를 책의 표 10-2에 기록하라.
(8) 책의 표 10-1과 표 10-2의 실험값과 실험 준비 보고의 계산결과 (1)과 (2)를 비교하라.
실험결과보고서(테브난의 정리)
1) 실험과정 (2), (3), (4)의 측정 결과를 표 10-1에
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45도이다.
실험의 결과를 토대로 log-log그래프 그려본 결과 -3dB 떨어지는 주파수는 30kHz이다. RC RL 주파수응답
실험 6. RC,LC회로의 주파수 응답 ( 실험 보고서 )
▶ 실험의 목표
▶ 사용 기기와 부품
▶ 실험 이론
▶ 실험 결과
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보고서
1. 2)-1 이론치 : *VCC(5) = 3.3V ,, 실험치 : 4V
1. 2)-2 이론치 : Hi=0.695(R+R)C=0.7ms ,, low=0.695Ra*C=0.23ms
실험치 : Hi=0.6ms low=0.26ms
1. 2)-3 이론치 : T=0.695(R+2R)C ,, T=0.93mHz ,, 실험치 : 0.925mHz
1. 2)-4 이론치 : D===75% ,, 실험치 : 80%
1. 3) 다이오드 삽입 h와 L를 컨
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예비보고서에서 미리 공부한 방법 데로 구하였다.
<커패시터 용량 및 정격전압 읽기>
실제 커패시터
커패시터 용량
정격 전압
설명
473
0.047㎌
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커패시터용량:
오차는 기록되지 않았다.
정격전압은 기록되지 않았다.
둥근 모양이고 귤색이
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1. 실험제목
옴의 법칙실험
2. 실험목표
저항체와 기전력으로 구성된 회로에 걸리는 전압과 이 회로에 흐르는 전류를 전압계와 전류계로 측정하여 옴의 법칙을 확인한다.
3. 실험 도구 및 장비
옴의 법칙 실험기 (세기상사)SG-6108
직류안
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NOT 게이트로 구성. 입력단자:1,3,5,9,11,13번 출력단자:2,4,6,8,10,12번
*74LS08: 4개의 AND게이트로 구성. 입력단자:1,2,4,5,9,10,12,13번, 출력단자:3,6,8,11번
*74LS32: 4개의 OR회로로 구성. 입출력단자는 74LS08과 동일하다.
*74LS00: 4개의 NAND회로로 구성. 입력단자
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하고 와 위상각 을 계산한다.
(d) 회로에 신호를 공급해주고 를 측정한다.
(e) , 의 한 주기당 수평 눈금()을 읽고 기록한다. 두 신호의 위상 차이를 나타내는 두 신호 사이의 수평 눈금()을 읽고 기록한다. 측정한 , 을 통해 식 를 이용하 여 위상
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