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전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 4
참고문헌 5
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1. 실험 목적
여러 개의 독립 전원이 있는 선형회로에서 어떤 저항의 양단에 걸리는 전압 또는 이에 흐르는 전류를
중첩의 정리를 이용하여 구하는 방법을 이해하며, 실험을 통해서 확인해본다. 2. 실험 이론
(1) 선형소자와 선형회로
선형
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rSadiku, 『Fundamentals of Electric circuits』4th, McGRAW.hill higher Education, 2009, pp139-140.
위키백과, 검색어|테브난의 정리,
http://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%85%8C%EB%B8%8C%EB%82%9C%EC%9D%98_%EC%A0%95%EB%A6%AC 1. 목적
2. 관련이론
2.1 테브닌의 정리
2.2 테브닌 등가 회로의
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을 회로에 표시된 대로 잡고 mesh analysis를 사용하면 다음과 같은 식 두 개를 얻을 수 있다.
네 개의 식을 정리하면 다음과 같다.
superposition을 이용하고, 처음 잡았던 전류의 방향을 고려하면
부호가 양수이므로 원래 잡았던 전류의 방향이 맞는
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McGRAW.hill higher Education, 2009, pp145-146.
위키백과, 검색어|노튼의 정리,
http://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%85%B8%ED%8A%BC%EC%9D%98_%EC%A0%95%EB%A6%AC 1. 목적
2. 관련이론
2.1 노튼의 정리
2.2 테브닌 등가회로와 노튼 등가회로의 관계
3. 이론값
4. 참고문헌
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데이터를 디지털로 변환 시키는데 유용하다는 장점을 가진다.
참고자료
- Digital Logic Circuit Analysis and Design
- Google.com (인터넷)
- 디지털 공학 실험 기본 논리게이트
1. 목적
2. 이론
3. 실험순서
7. 예비 보고 사항
참고자료
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를 타이밍도에 나타낸다.
(2) 실험 2 : D-FF의 실험
아래 그림은 D-FF 소자 7474 회로를 나타낸 것이다. 데이터 D와 클럭 CP의 변화에 따른 출력 와 를 측정하여 표와 타이밍도에 결과를 나타낸다. 클럭펄스를 인가하기 전에 CLR와 PR은 +Vcc에 접속한다.
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회로상자, 직류전원장치, 직류전압계, 직류전류계
5. 실험방법
(1)을 측정하기 위해 단일폐회로 구성
(2)가변 전원 스위치를 켜고 여러 전압에 따라 회로에 흐르는 전류를 측정
(3)도 측정
(4)Ohm의 법칙 확인 로 저항의 평균값을 구한다.
(5)직렬회
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회로에 걸린 전압에 비례하는 옴의 법칙을 확인할 수 있다.
3) 실험기구
4) 실험방법
-색코드를 이용하고 저항을 읽고 기록한 후 멀티미터로 저항을 측정해 확인한다.
-전원장치에 저항을 직렬로 연결하고 멀티미터로 전류를 측정한다.
-전압을
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은 이다.
따라서 V2와 V1이 차가 된다.
3. 실험방법
1) 가산 증폭 회로
다음 회로를 구성하고 INPUT 그리고 OUTPUT의 전압파형을 저장하고 각각의 진폭을 기록하고
spice 시뮬레이션한 것과 비교해 본다.
(단, Vin=1Vp-p, f=1kHz)
2) 차등 증폭 회로
다음 회로
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