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만들기
- Hall effect 회로도 참조하여 만든다.
- Photodiode 회로도 참조하여 만든다.
② MOKE data acquisition
※준비물
- 기판
- Hall effect 회로 : 저항-100KΩ 2개, 10KΩ 2개, 10KΩ-가변저항 3개, 741 OPAMP 1개, Hall generator
- Photodiode 회로 : 저항 1MΩ, 100KΩ-가변저항
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전력 등이 있다. 전력은 전위차와 마찬가지로 볼트(V)라는 단위로 측정한다. 전지나 발전기 등은 다른 형태의 에너지를 전기에너지로 바꿈으로써 지속적으로 기전력을 얻을 수 있도록 고안되어 있으며, 회로를 열었을 때의 단자 사이의 전위
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환시키는 ＜10진-2진인코더＞, 10진수를 2진화 10진코드(BCD code)로 변환시키는 ＜10진-BCD인코더＞ 등이 잘 알려져 있는데, 이것들은 집적회로화되어 있다
f.Load Cell
하중계(荷重計)의 일종으로 외부로부터 가해지는 힘(하중)에 비례한 전압이나 압
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회로에서 어떤 부호계열의 신호를 다른 부호계열의 신호로 바꾸는 변환기.
여러 개의 입력 단자와 여러 개의 출력 단자로 이루어져 있으며, 어느 1개의 입력 단자에 “1”이라는 신호가 주어지면 그 입력 단자에 대응하는 출력 단자의 조합
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실 험 예 비 보 고 서
실 험
1. MOSFET 전압-전류 특성
학 과
학 번
성 명
1. 목적
금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터 ( Metal Oxide Semiconguctor Field Effect Transistor : MOSFET) 의 드레인 전류에 대한 드레인 - 소스 전앞의 효과와 게이트 - 소스 효과,
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회로를 연결하고 전원장치의 전압을 약 10V정도로 가하여 이동단자를 수조상에서 이동하여 전류가 흐르지 않는 지점들을 잡아 용지상에 표시해간다.
⑥고정 단자를 다른 위치에 놓고 반복하여 등전위면을 찾는다. (10정도의 등전위면을 얻는
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회로에 흐르는 전류를 계산하라. 단 전원전압 V와 저항R은 표 4 - 1과 같다.
I
V
R
그림 4-2 직렬회로
표 4 - 1 전류계산
전 압(V)
3
3
3
5
5
5
10
10
저 항(R)
100
220
1K
2.2K
100
1K
2.2K
22K
전 류(㎃)
30
13.6
3
2.2
50
5
4.5
45
(2) 그림 4-3의 병렬회로에서 다음 값들을 계
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회로와 시뮬레이션
참고문헌
1. http://cysics.com.ne.kr/high/electric/ohm/k23.html
2. http://multispace.co.kr/junki/dc/ohm_1.htm
3. http://multispace.co.kr/junki/dc/circuits.htm
4. http://heebok.kongju.ac.kr/experiment/electron/em17.html
5. 신전기학 김의균. 박세환 p235-240
6. 전기이론 김응목
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● 소개
저항체와 기전력으로 구성된 회로에 걸리는 전압과 이 회로에 흐르는 전류를 전압계와 전류계로 측정하여 Ohm의 법칙을 확인한 후 저항을 구하고 저항에 대한 색코드에 익숙 하고자 한다.
● 규격 및 구성
K1 스위치: 전원 스위치
K
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연산 증폭기를 이용한 다양한 회로를 구성하고 출력 전압을 측정하여
이득율을 구해본다.
기초 이론
1. 연산 증폭기
두 개의 차동입력과 한 개의 단일 출력을 가지는 직류 연결형 고이득 전압 증폭
기이다. 입력 단자 간 전위차보다 대개
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