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산화공정에는 두 가지가 있다.
1) 하나는 산화에 산소 Gas만을 쓰는 건식 (dry oxidation)
Si (solid) + O₂→ SiO₂ (solid)
2) 다른 하나는 수증기를 쓰는 습식 (wet oxidation)
Si (solid) + H₂O → SiO₂ (solid) + 2H₂
건식 산화막은 습식 산화막 보다 같은 두께를
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산화제는 대기압 산화에서와 같다.
(4) 산화공정 시스템
웨이퍼 세척 → 산화 → 표면 검사 → 측정 → 마스킹
3) Dry Oxidation과 Wet Oxidation의 차이점
Dry Oxidation : Si + O₂→ SiO₂
Wet Oxidation : Si + H₂O → SiO₂+ 2H₂
Dry Oxidation의 경우 매우 높은 순도
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산화공정 → 감광액 도포 → 노광 → 현상 → 식각
→ 이온주입 → 화학기상증착 → 금속배선 → 웨이퍼 자동 선별
→ 웨이퍼 절단 → 칩 집착 → 금속 연결 → 성형 → 최종검사
습식 식각(Wet Etching)
식각 용액(액체)에 웨이퍼를 넣
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공정 장비 진행 방법
1. Cleaning
(1) 아세톤
(2) 메탄올
(3) 물로 헹굼(Di Water)
(4) SPM(황산:과산화수소=1:1)
(5) Di Water로 헹굼
(6) BOE (6:1)
2. LPCVD 장비 사용방법
(1)Chamber를 내림(Chamber안을 Cleaning한 후 Chamber를 내림)
(2)Process STB(Process Stand by)
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산화막을 제거 안하거나 플럭스를 묻힌 후 실험 시간까지 시간이 걸리거나 하는 변수가 있어도 거의 같은 결과 값을 보여준다.
젖음력에 가장 큰 변수는 플럭스의 사용 유무인 것 같다.
7. 참고 자료
(1) 공정플라즈마 기초와 응용/ Alfred Grill 저
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공정 - 이홍림외 공저
(4) 파인세라믹스 - 이형직 편저
- 참고 온라인 사이트 :
(1) http://blog.naver.com/leelim1902?Redirect=Log&logNo=90020953616
(2) 네이버 사전 : http://dic.naver.com/
(3) http://www.surfchem.co.kr/tech/sessile.htm
이상으로 흡착과 젖음에 관한 세라믹제조
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산화층 형성을 확인하였으나 산화층 내부 Cr 의 분포가 균일하지는 않았다.
3) 피막도장은 공정이 일반 도장과 비슷하여 도장작업성, 경제성이 우수하였다.
7. 참고문헌 1. 내후성강 서론
2. 내후성강 안정피막 형성 도장계 특성
1) 하
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공정검사 기법에 관한 연구, 부산대학교
◈ 민택기(2000), 현행 기계기초실습교과 분석을 통한 7차 교육과정 기계기초공작교과서 집필 방안 연구, 대한공업교육학회
◈ 배춘익(2010), 최신 기계공작법, 명진
◈ 안해일(2001), 기계공작법에 의한 가
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산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식산화 법과 습식산화 법으로 구분 할 수 있다.
▶ Dry Oxidation
고온의 Furnace 내로 O2 가스를 공급하여 실리콘을 산화 시킨다.
막의 성장 속도가 느리다.
Si(s) + O2(g) → SiO2(s)
▶ Wet Oxidation
고
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공정, 주로 이방성 에칭
Wet Etching(습식식각)
과정 : 반응물질이 용액상태로 들어와서 표면으로 이동=> 화학반응에 의해 녹기 쉬운 식각 물질과 만남=> 식각 물질이 녹아 표면으로부터 이탈
절단한 wafer의 표면 연마, 열산화막이나 에피
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