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스핀트로닉스 물질개발을 위한 스핀편극율 100%인 물질 탐구, 초상자성 효과를 극복할 높은 자기이방성의 수직자기이방성 물질 탐구, 반도체나 초전도체와의 hybrid electronics 개발을 위한 spin injection 현상 연구, 정보저장 밀도 및 속도의 궁극적
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스핀트로닉스의 극히 일부분으로 전자의 스핀정보에 대한 현상 및 이의 물리적 이해에 대한 연구는 이제 시작 단계라고 해도 과언이 아니다. 강자성체-반도체 하이브리드 소자와 같은 신개념 소자에 대한 산업적 가능성은 매우 크다. 중단기
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스핀트랜지스터 등 소위 스핀트로닉스(Spintronics)라는 새로운 기술혁명을 가져오며, 나아가 다가오는 나노기술시대에 나노머신 및 나노소자의 핵심물질로 이용될 가능성이 높기 때문이다.
전자스핀의 정보는 매우 긴 거리(~100μm)까지 유지되
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스핀트로닉스 기술 (차세대 전자회로)
일본 도쿄대학의 연구진은 빛에 의해 조절되는 전자의 스핀이 차세대 전자회로 개발에 획기적인 기여를 할 수 있을 것이라고 \'Physical Review Letters\'에 보고했다. 연구진은 고체의 양자역학적 물리양인 스
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스핀 전계 효과 트랜지스터를 개발하였다집 .
미 국방성에서 첨단 연구를 담당하고 있는 DARPA(US Defense Advanced Rsearch Project Agency)에서도 스핀트로닉스 연구 분야에 향후 수년간 1억달러의 연구비를 투자한다고 밝혔다. IBM과 Motorola 등 유수한 전
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스핀트로닉스와 양자 컴퓨터도 주로 실험 분야에서 노력을 경주하고 있다.
입자물리학에서 표준 모형을 넘어서는 실험적인 징후가 있다. 이중 가장 중요한 것으로 중성미자의 질량이 있다는 발견을 들 수 있다. 질량이 있는 중성미자에 의한
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자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM 소자의 장점과 단점
3. MRAM 소자의 장점과 단점
4. 메모리의 구성비교
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스핀트로닉스의 세계?
컴퓨터가 널리 보급되기는 했지만, 현존 컴퓨터의 저장정보는 전세계 종이 문서정보량의 10분의1 수준에 불과하다고 한다. 아직까지 컴퓨터가 대세를 장악한 것은 아니며 다만 빠르게 확산하고 있다고 본다. 지금 인류
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