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CE = 3 [V]
VCE = 5 [V]
VCE = 7 [V]
VCE = 9 [V]
5.558 - 4.470
= 1.088
6.475 - 3.548
= 2.927
7.471 - 2.545
= 4.926
8.401 - 1.610
= 6.791
9.411 - 0.5932
= 8.818
『11-2 회로도에 대한 Pspice 값』
○ 실험 11의 데이터
파라메터
측정값
기대값
오차율
VB
3.197 [V]
3.2 [V]
0.093 %
VC
7.490 [V]
7.5 [V]
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회로를 구성한뒤 랩뷰로 다이어그램을 작성한후 그 값을 측정하는 일반적인 실험과 다른게 없었다. 다음으로 지금까지 실험중 처음 사용된 펄스 제네레이터는 의외로 사용법도 간단했고 직관적인 인터페이스여서 사용하기 수월 했다.
실험
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E(emitter)로 표시되는 에미터에서는 총 전류가 흐르게 되고 얇은 막으로 된 베이스(B; base)가 전류흐름을 제어하며 증폭된 신호가 컬렉터(C; collector)로 흐르게 된다.
VOM : Volt Ohm Meter 직류 및 교류 전압(Volt)과 저항(Ohm, 옴) 값을 기본적으로 측정하
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1. 실험제목
Diode Circuit (Rectifier Circuit Design)
2. 실험목적
D iode를 이용하여 Half-wave Rectifier와 Full-wave Rectifier를 설계해 보고 그 특성에 대해 알아본다.
3. 실험장치
- Diode
- Function Generator, Power Supply
- Oscilloscope
- Breadboard, Jumpin
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1. 실험제목
Operational Amplifier & Diode
2. 실험목적
OP-Amp 와 Diode를 사용하여 미분기 및 적분기, OP-Amp Comparator, Active Peak Detector를 설계하고 각각의 특징에 대해 알아본다.
3. 실험장치
- Diode, Op-Amp
- Function Generator, Power Supply
- Oscil
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1. 실험제목
N-Channel MOSFET 전류/전압 특성 측정
2. 실험목적
N-Channel MOSFET을 기판에 납땜하고, 그를 이용하여 N-Channel MOSFET의 전류/전압특성을 측정한다.
3. 실험장치
- FDC6329L (MOSFET 소자)
- Function Generator, Power Supply
- Oscilloscope
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1. 실험제목
MOSFET Circuit – Basic MOSFET Circuit
2. 실험목적
- MOSFET이 어떤 소자인지 알아보고 기본적인 동작 특성을 이해한다.
- N-Channel MOSFET의 전류/전압 특성을 관찰한다.
- Invertor를 구현하고 그 특성을 관찰한다.
3. 실험장치
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"부산대 컴퓨터 구조 족보(중간, 기말)"에 대한 내용입니다.
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컴퓨터에서 프로그램을 다운로드하여 저장할 수 있는 ISP 기능을 가지고 있다.
● AVR 마이크로콘트롤러 패키지
◑ PDIP / SOIC/ SSOP
- PDIP 패키지는 현재까지 널리 사용되고 있는 패키지 형태
- ATtiny, AT90 및 ATmega 패밀리에서 8핀, 20핀, 28핀 및 40핀
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이다. 단계6 에서 작성한 그래프상에 차단과 포화에서의 IC와 VCE의 값을 그려라.
11. 단계10 에서 가변저항을 제거하였다면 단계8에서 처럼 가변저항을 다시 연결하라. 가변저항을 가변하여 직류부하선의 활성영역에서 5개의 IC와 VCE의 조합을
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