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가 병렬, 그리고 이들은 직렬로 연결됨 을 알 수 있으며, R4와 R3에 걸리는 전압을 구한 후, 그 차로써, 개방회로의 전압을 알 수 있다.
전압분배법칙을 이용하면,
VTH = VBD-VCD =
② RTH 를 구하기 위해, 전원 Turn off 후, 부하저항 R5을 개방, 개방된
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가정하고,
R1 = 45Ω R2 = 150Ω RL(부하) = 47Ω 이라 하자. 여기에서 노턴 등가 회로에서의 각 값을 구하여 보자.
① 은 부하저항 RL이 단락되었을때, 단자 F, G를 흐르는 전류이다. 중첩의 원리를 이용하여 구해보자.
1. 을 구하기 위해, 먼저 저항 RL을
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전원은 가 단락 회로로 대체되고, 전압 전원 만이 있을
때보다 에 흐르는 전류가 (크다, 작다).
작다
4. 그림 6.1에서 회로의 해에 대한 중첩의 원리를 적용할 때 는 ____ 로 대체된다.
단락회로,
5. 그림 6.1의 회로에서 에 걸리는 전압은 _____V이다
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르는 전류는 공급된 전체 전류 로부터 나누어지는데,
각 소자로 흐르는 전류 는 , 이므로,
전체 전류 는 다음과 같다.
,
, 여기서 이 결과는 전류 훼이저도와 같음을 보여준다.
(3) 실험 (5)의 절차에서 : 개방, : 단락, : 단락시킨 상태에서 전류
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.651
5679.489
1.52
- 20
157.9406
10076.89
7938.96
5163.403
1.937
177.9406
8944.274
8944.27
4700
2.128
+ 20
197.9406
8040.541
9949.58
5072.911
1.971
+ 40
217.9406
7302.675
10954.89
5952.199
1.68
+ 60
237.9406
6688.852
11960.2
7062.372
1.416
+ 80
257.9406
6170.217
12965.51
8262.324
1.21
+ 100
277.9406
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14.3과 표14.4의 형식으로 구성하라.
[표 14.3]
L1
L2
L3
VR
VL
직 렬
200mH
100mH
50mH
0.008
∠0.13˚ V
0.0008
∠0.13° mA
3.54
∠90.13° V
4425
∠90°
352.3mH
병 렬
200mH
100mH
50mH
0.098
∠1.6° V
0.098
∠1.6° mA
3.53
∠91.6° V
360.2
∠90°
0.028mH
[표 14.4]
C1
C2
C3
VR
VC
직 렬
100㎌
200
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의 범위에서 저항을 측정할 수 있다. 저항이 일 때 측정하면 브리지는 의 현재 값으로 평형이 될 수 없다. 브리지가 평형을 이루려면 ratio arms의 설정을 바꾸어야 한다.
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조절이 정확하게 맞지 않으므로 무게측정에서 오차가 생겼을 수 있다.
6. 참고 문헌
-일반물리학실험/북스힐 159~163쪽 참고 전자전기공학 - 쿨롱의 법칙
1.목적
2.원리
3. 기구 및 장치
4. 실험방법
5. 결과 및 토의
6. 참고 문헌
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전자전기공학
Resistor, capacitor,
Inductor의 특성과 응용
저항기(Resistor)란?
≪ 사 진 ≫
≪ 그 림 ≫
• 전기회로에서 전류의 흐름을 막아서 회로의 작동, 제어를 하는 부품
탄소피막 저항기
(Carbon Film Resistor)
≪
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전기전자 공학 - 스트레인게이지 특성과 브릿지회로에 대하여
스트레인 게이지
스트레인 게이지 브리지회로
2 게이지법 및 4 게이지법 감도증가회로
브리지 상수(bridge constant)
각종 브리지 회로
회전축에서의 스트레인 게이지 사용
응
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