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실험의 변수는 도금액의 온도와 전류밀도였다. 우선 우리조(1조)와 2조는 전류밀도를 똑같이 한 상태에서 도금액의 온도를 다르게 하여 실험하였다. 도금액의 온도를 높이면 도금액의 저항이 적어지게 된다. 따라서 같은 전압에서도 전류가
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1%, 1/4Watt
주의)
저항범위: 1ohm~1Mohm
저항값 기입란에는 한번에 한가지 저항값만 기입하셔야 한다.
(ex; 10Kohm 혹은 10K와 같이 입력) 1. 실험배경
2. 실험목표
3. 이론
4. 실험재료
5. 실험과정
6. 고찰사항
• Cds광도전 셀의 사용상
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1) 단결정 실리콘(Si) 반도체
2) 다결정 실리콘 반도체
3) 비정질 실리콘(Si) 반도체
4) 화합물(compound) 반도체
5) 유무기 혼합 또는 순수 유기 태양전지
5. 태양전지의 특성
1) 단락전류(short circuit current, Isc)
2) 개방전압 (open circuit voltage, Voc)
3)
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특성을 고려하여 interfacing을 해야 한다.
6. 참고 문헌
- Brey, Barry B. The Intel Microprocessors, 8th Ed, Prentice Hall, 2008
_ 김경환, 마이크로프로세서응용실험 강의자료, 2010
- 네이버 카페 ; http://cafe.naver.com/gabriel98.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3Farticleid=999
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실험 수업이 될 수 있도록 노력을 해주신 조교선생님께 감사를 드리고 늦은 시간까지 열심히 했던 조원들 덕분에 좋은 결과가 나온 것 같다.
References
[1].고영태, 이진홍, 공업화학, 3 (4) (1992) 574.
[2].연료전지 종류및 특성, http://blog.naver.com/ph8242
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1] 윤덕용 저, [ATmega128 마스터], Ohm사
[2] 이재창, 심광렬, 송경화 공저, [BASCOM-AVR 로봇 스터디], 동일 출판사
[3] 신정환 저, [C로 미는 로봇], Ohm사
[4] 윤지녕 저, [마이크로 로봇 바이블], 성안당 Abstract
Key Words
1. 서 론
2. 본 론
2.1. 구
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도핑하게 되면 공핍층이 좁아져 터널링 현상이 발생.
④ Threshold voltage 조절: 반도체 소자마다 문턱전압 값을 조절할 수 있다. 1. 반도체 소자 및 IC 개요
2. 웨이퍼 및 마스크 제조
3. FAB 공정
4. PHOTO, ETCH 공정
5. Doping 공정
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1717.4309 T, 포화자화 39710.8372 T 를 얻을 수 있었다.
6. 결론
이번 실험은 강자성체의 자화과정 및 자화곡선을 이해하고 철심의 자화곡선을 측정하고 해석하여 강자성체의 특성을 알아보는 실험이었다. 실험을 통해 강자성체는 반복해서 자화시
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1점 접지를 취하고 있으나 다수의 센서가 사용되는 경우에는 곤란하다. 이러한 경우에는 플라잉 캐패시 터 방식등을 사용하여 잡음 해결해야 한다.
실험 계획시 오차를 줄이기 위해 준수해야 하는 몇 가지 일반적인 예방책을 알아보면
민감도
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같은출력을 얻는다.
그림 4. 비반전 회로
참고문헌 ; 전자회로공학 / p633~651
기초전자회로실험 / 연산증폭기편 1.op-amp의 개관
2.동작의 개요
3.op-amp 이득
4.입력/출력 극성
5.공급전압
6.기본적 차동증폭기
7. 반전 증폭
8.비반전 증폭
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