|
연결해 두어야 한다.
※참고문헌
1. TTL응용실무 // Don Lancaster // 한국과학원
2. 디지털시스템 // Tokheim // 싸이텍미디어 ◎TTL의 기본개념
◎TTL의 종류와 특성
◎propagation delay(전파지연)
◎fan-out(출력분기수)
◎입력핀수
◎사용 시 유의점
|
|
|
1
성급히 실험을 진행한 까닭에 조급함이 있어 정확히 판단하고 읽는데 있어서 정확도가 떨어졌다. -2
실험방법을 미처 제대로 파악하지 못하고 실험을 한 것이 가장 큰 요인이라 생각되고 계기판이 자세하게 미세한 것 까지 읽을 수 있게 나
|
|
|
전압을 변화하는 경우
전원전압 변화(입력전압 6.618V)
이전단계 역방향회로(입력전압 20V)
분석 : 입력전원전압을 변화시키는 것인데 우선 이전단계에서 역방향 회로의 제너 다이오드에 걸리는 전압이 4.168V이었으므로 이것에 2V를 더한 6.618V를
|
|
|
110 V에서 12V로 변압해주는 부분을 연결 10V를 가하였을때, 110V에서 12V로 변압한 비율로 변압이 되는지를 확인해 보았다. 실험은 이론수치대로 거의 근접하게 나왔으며, 변압기 내부의 권선수 비에 의해 전압이 변화된것을 볼 수 있다.
2. [최대
|
|
|
실험회로도
5. 실험절차
(1) 디지털 실험기판 위에 7408 AND 게이트를 이용하여 논리게이트 실험회로 (a)를 구성하고 데이터 스위치 과 를 각각 A, B에 연결하고, 과 르 , 로 변환시ㅣ면서 오실로스코프를 사용하여 X의 출력 전압을 측정하여 표 1에
|
|
|
1A 클래스이며, 정류 다이오드의 약 70% 를 차지하고 있다.
패스트 리커버리 다이오드
스위칭 전원에 많이 사용(20kHz - ). 순방향 전압 강하 0.8 - 1.2V 정도. 일반적으로 내압 50V - 1000V이내. 역회복 시간(recovery time)이 100 - 300ns 정도.
울트라 패스트
|
|
|
1 decade(10배) 증가하는데 필요한 Gate 전압의 비율로서 SS가 작을수록 좋은 Device특성을 나타내고, 이론적으로는 m = 1 일 때 상온에서 약 60 mv/decade 값을 나타내며 실제 소자에서는 대략 70~ 100 mv/decade의 값을 갖는다.
그 외에 VGS = 0 V이고 VDS = VDD 일
|
|
|
실험 결과값을 얻을 수 있었다.
- 나. 병렬 RLC 공진 회로의 주파수 응답
두 번째 과 를 사용한 실험에서 전압의 값이 1.5V정도로 계속 크게 나왔다. 저항이 1K옴으로 매우 크므로 작은 전압이 측정되어야 했다. 회로를 다시 구성하고 10번정도 다
|
|
|
주의할 점은 일단 제너 다이오드가 항복 영역에서 동작하게 되면 제너 다이오드의 양단에는 항상 일정한 제너 전압 VZ가 유지 된다는 점이다. Vz는 1.8 ~ 수백[V]이고, 전력소비는 500mW ~ 50W이다.
제너다이오드의 기호는 옆의 그림과 같다.
Pspice sim
|
|
|
1. 실험 제목
- 전압 인가시 LED 발광 시점 측정
2. 실험 목적
- LED 발광시점을 측정해보고 작동원리를 이해한다
3. 실험 방법
1) LED(B,G.W)와 POWER SPPLY 멀티미터를 직렬로 연결한다
2) POWER SUPPLY에 전압을 0~4V까지 일정한 비율로 증가시킨다
3)
|
|
메뉴펼치기
