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6. 주의사항 및 주요 관찰사항 16
실험 3. 트랜지스터 증폭기 실험 17
1. 실험 목적 17
2. 기초이론 17
3. 예비 보고서 21
4. 실험기자재 및 부품 21
5. 실험방법 및 순서 22
6. 실험결과 23
실험 4. FET특성 및 증폭기 28
1. 실험 목적 2
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특성
1. 실험 장비
① 신호발생기
② BNC 코넥터-악어클립 케이블
③ 오실로스코프
④ 오실로스코프 프로브
⑤ 브레드보드
⑥ 저항
⑦ 인덕터
⑧ 커패시터
⑩ 연결도선
2. 실험 내용 및 방법
실험을 통해서 R, L, C 소자에 대한 전압과
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전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통하여 확인한다.
2. 실험 기자재 및 부품
- DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기(Function generator), Q2N4401(혹은 Q2N222
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실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.
2. 실험 기자재 및 부품
- DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기(Function generator), 2n7000 (NMOS) 1개,
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1. 실험 목적
전기-전자 회로를 구성하는 기본 소자인 저항, 인덕터, 커패시터에 대한 전압과 전류 사이의 관계 및
위상 개념을 파악하고, 각 소자의 전기적 특성을 이해한다. 2. 실험 이론
(1) 저항(R) 회로
저항은 전류의 흐름을 방해하며
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1명, 교류 임피던스 측정을 통한 콘크리트 재료의 전기화학적 특성, 숭실대학교, 2009
이상익 외 3명, 교류전압 감지회로를 이용한 다출력 직류 전원장치, 대한전기학회, 2009
이일근 외 1명, 교류회로 : 이론 및 실험, 한남대학교출판부, 2006
조근
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100옴일 때
Reference : -전기전자공학개론, Giorgio Rizzoni지음, Mc Graw Hill 출판
-회로이론, Hayt지음, 강철호 역, Mc Graw Hill 출판
-대학 물리학, 청문각 출판 1. 실험 목적
2. 실험 순서
3. 이론적 배경
1) 다이오드
2) 정류회로
4. 실험 결과
1)
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다이오드 전압 저항 측정표 >
가변 저항의
저항()
다이오드 양단 전압(V)
전류(mA)
0
0.697
12.99
1
0.632
3.39
2
0.605
1.93
3
0.588
1.35
4
0.576
1.03
5
0.565
0.82
실험 2) 발광다이오드(LED)의 전류와 전압 측정
- 가변저항이 0일 때...
가변 저항의 값이0일 때 발광
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오드면 0.2V이다. 다이오드에 문턱 전압 이하의 전압 또는 역방향 전압이 걸리면 다이오드는 개방되어 인가된 전압이 모두 다이오드에 걸린다.
3. 실험실습 사용기기 및 재료
직류 전원 공급기
다이오드(Si: 1N4154, Ge:1N34A)
저항 330옴, 1k옴, 2.2.k옴
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1일, 271p~273p
②전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회, 06년8월25일, 165p~173p
③전자회로실험, 청문각, 김경태 외1명, 03년1월15일, 156p~157p
④전자회로실험, 내하출판사, 김현후 외1명, 05년2월20일, 97p~101p
http://blog.naver.com/ruineye?Redirect=Log&logNo=15
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