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1 K 54.1k 1.64 0.26 1.64 3.3 3.3 100 53k 0.68 1 6.8 33 33 결 과 보 고 서 실험 51. 병렬 RLC회로의 임피던스 실험 54. 병렬공진회로의 특성 분반 : 성명 : 학번 : 실험일: 실험 51. 병렬 RLC회로의 임피던스 1. 실험 결과 표 51-1. 병렬 RLC회로의 임피던스 결정 Appl
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작은 요소가 큰 변화를 만들 것이다. 이번 실험에선 하지 않았지만 기본적인 정류회로에 캐패시터를 달아 평활회로를 만들었을땐 어떤 결과를 나타낼지 생각해보면 많이 도움될 것 같다. 1. 실험회로 2. 실험결과 3. 결론 및 토의
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전압을 주었는데 2.1v의 전압이 나타나는 것은 다이오드가 전압 강하 작용을 하기 때문에 2.9v만큼의 전압 강하가 일어났기 때문입니다. 1. 실험 목표 2. 실험 장비 및 부품 3. 실험 관련 이론 4. 실험 과정 5.실험결과 및 고찰
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  • 등록일 2005.04.12
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다이오드 사이에 다이오드처럼 특성곡선이 있을 수 있다. 그림 5의 특성곡선을 얻기 위해서는 먼저 , 시켜서 얻을 수 있다. 그림 5에서 베이스에 흐르는 전류 는 이식에서 이다. (4) 컴퓨터 실습 모의실험 8-1 1. 회로도 2. 파형 1. 목적 2. 실험
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  • 등록일 2010.04.16
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찾는다. ① 대신호/소신호 모델 ② 다이오드의 대신호/소신호 모델 ③ 다이오드 회로에의 대신호/소신호 모델 적용 ① 다이오드 회로 특성곡선 측정 ② 다이오드 회로의 소신호 증폭도 측정 ③ 선형 동작을 위한 바이어스 결정
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  • 등록일 2011.10.02
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실험 8.3 전압분배기 바이어스회로는 가장 널리 사용되는 바이어스 방식으로 단일 전원을 저항 전압분배기를 사용한 바이어스이다. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성 - 실험 결과 - BJT의 고정 바이어스 및 전압분배기 바이어스 - 실
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  • 등록일 2012.04.16
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전압을 +로 증가시켜야 한다. 다. 전달특성 3. 실험 기계 및 부품 오실로스코프, 직류 전원 장치, 멀티미터, 전류계 MOSFET : SK45 (MOSFET) 4. 시뮬레이션 n 채널 MOSFET 시뮬레이션 회로도 1. 목적 2. 이론 3. 실험 기계 및 부품 4. 시뮬레이
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  • 등록일 2005.10.11
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전압을 , 기준 전압을 이라 하면 [그림 10-6]에서 보는 바와 같이 이 만족이 되고, 이로부터 입력전압은 계산이 된다. 이중 적분형 A/D 변환기는 아날로그 입력신호를 적분하므로 입력신호의 잡음에 대하여도 안정된 변환특성을 가지나, 2번의 적
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  • 등록일 2012.09.26
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실험상 0.9-1.0의 값을 가지게 되었는데 이것은 실제 이론상 값인 0.9-1.0과 일치하다는 것을 확인 할 수 있었다. 실험 4. 트랜지스터 특성 I (결과 레포트) 3. 실 험 과 정 4. 실 험 결 과 사항 5. 예비보고 사항 문제 5. 검토 및 논의
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  • 등록일 2011.11.24
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100[Hz] 에서부터 500[kHz] 로 변화시키면서 입력 파형의 전압 와 출력파형의 전압 을 측정하라. ▶ 참고 : 주파수 값의 범위는 공진주파수 값이 중간에 오도록 적절히 조정하여 실험할 것(단, 필터 특성(BW, Q 등)을 확인 할 수 있도록 공진 주파수를
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  • 등록일 2012.03.13
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