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특성곡선
① 역방향 측정결과
R1 = 10.23㏁
V=8V
V=16V
V=24V
VR1
Is
VR1
Is
VR1
Is
VD1
RD1
계산값
측정값
0.002
0.391㎂
0.004
0.783㎂
0.005
1.174㎂
11.97
10.20㏁
2. 결과 및 고찰
다이오드를 회로에 순방향과 역방향으로 연결하여 그때 측정되는 전압값을 비교하여보
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Emitter보다 농도가 작게 도핑 되어 실제 시판 되고 있다.
BJT 구조에서 Emitter와 Collector는 같은 물질의 반도체로 구성되어 있으나 그 부피나 농도는 다르게 제작 되어진다.
3. 시뮬레이션 결과 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 시뮬레이션 결과
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많은 전자사태가 일어나기 때문에 불감시간도 더 길고, GM 서베이메타의 크기도 저방사선장보다는 커야 할 것이다. 1. 실험 방법 및 과정
◎ 실험 준비물
◎ 실험 방법
◎ 주의사항
2. 실험결과
3. 결과분석 및 토의
4. 검토할 사항
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17-4에 무부하 특성 곡선을 그린다.
≪ 그 래 프 ≫
2) 어느 전압까지 그래프가 직선으로 나타나는가?
- 약 90[V]정도 까지 직선과 비슷한 모습을 나타낸다.
3) 포화가 되는 전압은?
- 실험값 내에서는 정확한 포화전
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.84
0.67
4.86
0.995
242
10
4.94
4.94
0.67
4.96
0.995
247
12
5.05
5.05
0.66
5.07
0.995
252.5
14
5.16
5.16
0.66
5.18
0.995
258
9.9
30
0.5
6.86
6.86
0.7
6.89
0.995
228
1
6.89
6.89
0.7
6.92
0.995
229
1.5
6.92
6.92
0.7
6.95
0.995
231
2
7.01
7.01
0.69
7.04
0.995
233.6
4
7.19
7.19
0.69
7.22
0.995
239.6
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1, January 2002, pp. 64~67
8) http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter6/ch6_3.htm
9) 재료전자기학 - 이후정교수님 강의안 1. 실험 목적
···········
p. 2
2. 실험 배경
···········
p. 2
3. 실험 이론
···········
p. 2
① Si의 특성
····
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전압이 서로 다르다. 그렇기 때문에 동작 전압이 각각 다른 것이다. 또한 LD Bias1을 증가시킬 때 Si와 Ge도 진폭이 서서히 증가하는 결과를 얻었고 대신 Ge가 Si보다 적은 전류로 CH1의 파형과 같게 나타났다.
결과적으로 순방향 Bias일 때 정공들은
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하고 이의 주파수 간격은 -이
다. 이 주파수 간격을 회로의 주파수 폭이라고 하며, 주파수 폭 BW는 다음과 같
다. 1. 실 험 제 목
2. 실 험 목 적
3. 관 련 이 론
1) 직렬 RLC회로의 공진 주파수
2) Q와 주파수 특성
3) Q와 주파수 폭
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11판 물리학실험. 아주대학교출판부. 2015. p107~114.
Raymond A. Serway 외 1명. 제 9판 일반물리학. CENGAGE Learning. 일반물리학 교재편찬위원회 역. 2013. p364~378. 1. 측정값
1-1. 전하량 측정(전위계의 전압)
1-2. 정전기 서열
1-3. 표면 전하 밀도
2.토의
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센서를 사용하므로 실내조명용 전등과 손전등의 광량을 측정할 수 있고 태양광 또한 측정하여 밝고 어두움에 대하여 절대적인 정확한 수치를 확인하고 기록 할 수 있을 것이다. 1. 실험 목표
2. 실험 장비 및 재료
3. 실험방법 및 분석
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