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다이오드는 반도체를 사용한 PN접합 구조로 되어 있다. 발광은 이중에 전자를 가지고 있는 에너지를 직접 광 에너지로 변환하여 발생된다.
전극에서 반도체에 주입된 전자와 정공에 다른 에너지가 흘러 PN접합부 부근에서 재결합한다. 1. L
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다이오드와 유사한 특성을 나타낸다.
매우 좁은 쇼트키 장벽 내에서 전류제어작용이 행하여지기 때문에 고속동작에 적합하며, 마이크로파 수신 혼합기, 고속 논리용 다이오드 등에 사용된다. 1. 쇼트키 다이오드의 정의.
2. 쇼트키 다이
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1) 실험 회로 8-1의 회로를 구성하라.
2) 동작점을 측정하기 위하여 입력 신호를 제거하고 디지털 멀티 미터로 와 를 측정하여 , , , , , 를 계산하라.
3) 입력에 피크값이 1V, 주파수가 1kHz인 정현파를 인가할 때 입력과 출력 파형을 관찰하고 전압
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1과 2의 모양은 같게 나온다.
- 전체적으로 로딩 시간이 짧아 시료가 충분히 내려오지 못했다.
Reference
- http://rafael.ucsf.edu/2DPAGEhome.html
- http://donatello.ucsf.edu/
- http://board.cgiworld.net/view.cgi?id=molgene&now=4&jd=-1&ino=58&tmp_no=61
- 유기화학실험 박원규 저
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이오드 특성 및 전압조절기 실험
▶ 객관식 문제측정
1. ④
2. ②
3. ①
▶ 주관식 문제측정
1.
2.
제너 정전압 작용이 유지되기 위해서는 이 성립해야 한다.
위의 그림에서 이 성립하므로 부하저항 에 흐르는 최소 전류 은 일때 이다.
∴
또한
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다이오드를 통과
하는 전류는 직류성분만 남아서 정류작용을 한다.
6. 축전기 : 주로 전자회로에서 전하를 모으는 장치
배경 이론-4
4개의 다이오드를 사용한 회로는 브리지정류라고 도 불리며 전파정류의 일종이다. 1. 실험
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1과 D3는 ON되고 D2와 D4는 OFF이며 나머지 반주기 동안은 반대현상이 발생한다. 브리지 회로에서 OFF 상태에 있는 다이오드의 PRV 는 Vm이 되고 평균전압은 전파정류와 같은 Vdc = 0.636Vm 이 된다.
3. 실험방법
(1)반파정류 회로
① 아래의 회로를 구성
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저항에 의해 전압분배가 일어나게 된다. 아래 그림에서 알 수 있듯이, 출력이 있는 단자의 개수에 따라 전압이 다르게 분배되게 되고, 그에 따라 전압레벨의 차이가 발생한다. 3. 실험 목적
4. 실험 관련이론
5. 실험기자재 및 부품
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다이오드, 커패시터 및 저항으로 구성되어 있다.
2. 실험 절차
1) 항복전압 (역 15V이상 -> Vt측정)
VT = 708mV
2) 클램퍼(R, C, diode 조합)
a. 그림 6-1의 회로를 구성하고 R의 측정치를 기록하라.
Rmeas = 99.22kΩ
b. 단계 1로부터의 결정된 VT를 사용하
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전압값이 커질수록 전류값이 작아짐을 확인 할 수 있었다. 그리고 가 3.5V이후인 시점부터 가 0A에 근접함을 알 수 있다. 즉, 가 3.5V임을 알 수 있다.
4. 연습문제
(1) 실험 2번의 입출력 전압 특성을 보고 와 잡음 여유폭을 구하라.
- 실험 2번의 입
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