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연속적으로 되기 위한 조건에서 수식을 정리해 보면
즉, 가 된다.
(4) 실험과정 (6)의 이론치를 계산하라.
의 식을 이용하여
①D=0.2일 때 ②D=0.4일 때
③D=0.6일 때 1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용부품 및 장비
4. 실험 내용
5. 예비보고서
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실험 안내서에는 적색스펙트럼이 가장 명확하다고 확인되어있지만 실제 실험을 해보니 푸른색과 녹색 선이 가장 명확하게 관측되고 있었다. Ⅰ. 실험제목
Ⅱ. 실험 날짜
Ⅲ. 기본 이론
Ⅳ. 실험 방법
Ⅴ실험 데이터 및 사진
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실험이었다.
실험 F. 전장 및 자장 속에서의 전자의 운동 : 전자의 비전하 측정
1) 앞의 실험에서 외부에서 전압을 인가해주면, 수직편향판의 위쪽에는 (+) 전압이 아래쪽에는 (-) 전압이 인가되어 전자는 위쪽으로 힘을 받아 휘는 것을 관측하
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log-log 그래프에 그리고, 이론적인 결과와 비교해 보시오.
log-log 그래프
전력이 50%가되는 지점(-3dB)=0.707되는 부분=88kHz
※ 별첨 : HA17741 data sheet 1. 실험목표
2. 사용 기자재
3. 기본이론
4. Pspice 시뮬레이션 결과
5. 실험 방법 및 결과
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전압 특성곡선을 그리시오.
4) Si 다이오우드 대신 Ge 다이오우드를 사용하여 실험을 반복하시오.
그림 7. 역방향 특성곡선 측정회로
실 험 결 과 보 고 서
보고자: 학과 및 학년
학 번
이 름
보 고 일 자 :
실험제목 : 반도체 다이오우드의 특성
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실험 B] 전압에 따른 열에너지 증가는 실제 값보다 큰 방사능 측정값을 나오게 한다. 이것은 우리가 측정하는 방사능은 열적 평형상태에 이루었을 때 측정 하는데, 이것은 전압에 따른 Cube 열과 빛의 열에너지의 합이 방출하는 양과 흡수하는
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달아서 측정하면 될 것이다. 다 게이트 전압이 보다 커야 한다.
D. 실험을 통하여 구한 , 그리고 을 사용하여, 바이어스 회로에 대한 회로파일을 완성하고 Spice로 해석하라.
- 1. 실험 목적
2. 사용기기 및 부품
3. 실험 내용
4. 연습문제
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파형을 표의 4난 파형란에, 진폭을 표의 4난 VBD난에 기록하라.
(10)오실로스코프의 접지를 D노드에서 B노드로, 다른 단자를 B노드에서 S노드로 교환하라.
R3는단계(9)의 값과 같이 한 상태로 파형을 측정하여 단계(4)의 파형에 다른 색깔로 표시
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통해 흐를 수 있는 최대 전류를 계산하고 과정을 보여라.
5.실험 과정에서 가변 저항기 R2에 최대 전류가 흐르는 경우는 언제인가?
R2에 흐르는 최대 전류가 얼마이며 계산 과정을 보여라. <실험목적>
<이론>
<요약>
<실험장비 및 재료>
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실험 목적
2. 실험 이론
1) pn접합 다이오드
2) Si 다이오드의 여러 가지 온도에 따르는 전압-전류 특성 변화
3) 반도체 다이오드한 표시 및 저항계를 이용한 측정
PsPice시뮬레이션 결과
□ 실험결과
1. 다이오드의 바이어스
2. 전
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