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수동필터와 같다고 할 수 있다.
실험 방법에서와 같이 저항과 커패시터의 위치만 바꿈으로 해서 저역 필터와 고역 필터를 만들 수 있었고, 각 소자의 크기를 조절하여 0점과 3dB frequency의 위치를 조절 할 수 있었다.
4. 결과 및 토의
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측정하여 변화분의 온도를 산출하는 방법이다.
특수시험 : 소음측정, 여자전압 및 전류파형의 측정, 돌입전류의 측정, 단락시험, (유전손실)의 측정, 고유 주파수의 측정, 전위분포 측정, 이행전압측정, 서지임피던스측정, 코로나 시험
변압기
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n), 출력전압(vout)의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라. Vsig의 Peak to peak는 10mV, freq는 1kHz로 설정하고, 두 주기의 입출력 파형이 출력되도록 설정하시오. Run to time =
(단, 트랜지스터의 제조사에 따라 실제 증폭율과
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회로의 동작을 실험값과 FPGA동작 검증을 통해 확인할수 있었다.
두 번째 실험은 딥스위치에서 0~9까지를 입력함에 따라 7-segment LED의 숫자
를 확인하는 실험 이었다. 처음에는 예비레포트의 회로도와 시뮬레이션을 토대로
계획대로 실험을 진
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측정값 결과
Pspice에 의한 시뮬레이션 결과
오실로스코프 측정값 결과
Pspice에 의한 시뮬레이션 결과
[5000Hz]
[10000Hz]
오실로스코프 측정값 결과
Pspice에 의한 시뮬레이션 결과
5.10 실험회로 3.3을 구성하시오.
5.11 함수발생기의 출력 V1을 오실로스
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실험을 반복하시오. 단, 보드선도는 위의 표를 같이 사용할 것.
C의 변화에 따른 오실로스코프 측정값, PSpice 값 비교를 위해 5.6에 포함.
5.7의 실험에서 콘덴서 변화에 따른 보드선도의 변화를 설명하시오.
진상회로와 지상회로에서도 콘덴서
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실험에서와 같이 입력되는 전압의 방향을 반대로 하여 회로를 연결하였더니 다이오드에 양단에 걸리는 전압은 -0.84V였다. 이처럼 낮은 전압이 측정된 이유는 다이오드(1N914)에 있다. 회로도를 살펴보면 다이오드(1N914)는 회로에 역방향으로 연
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실험회로에서 입력 A.B의 변화에 따른 출력값 S와 C를 측정한 표 6-5가 이론치 표 6-1과 같은지 확인하여 보자
실험치와 이론치가 일치하였다.
s=a b, c=a b
(2) 그림 6-12의 전 가산기 실험 회로에서 입력변화에 따른 출력값의 측정치 Sn과 Cnㅇ르 나타
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회로를 그림 8-11과 같이 접속하여 두 입력 A, B의 변화에 따른 출력 F를 측정하여 표 8-4를 완성하라.
그림8-11 4X1 멀티플렉서
표 8-4
A B
F(이론)
F(실험)
0 0
0 1
1 0
1 1
(3) 그림 8-12와 같은 멀티플렉서를 이용한 전가산기 회로를 결선하고 입력 변화에
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실험순서 (3)의 조건에서 가변저항기를 조절하여 다이오드의 단자전압 가 0.1[V]의 단계로 1[V]까지 변화시키면서 단계별로 각각의 전류 의 값을 측정하여 표 22-1에 기록하여라.
(5) 그림 22-9와 같이 Si다이오드의 역방향 특성실험회로를 구성하여
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