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회로에서는 인덕턴스 값을 갖는 회로를 저항과 직렬로 연결한후 교류 전압을 가해 주었을때 파형을 관찰 해 보았다. CH1은 함수발생기과 인덕터 사이에, CH2를 인덕터와 저항 사이에 연결하고 주파수를 가했을 때 파형의 상태를 보았다. 그 결
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인덕턴스 를 구하라.
다음은 세 개의 인덕터를 병렬연결하여 위치시킨 후 위의 과정을 반복하라.
⑥ 위의 회로에서 하나의 커패시터 대신에 , , 인 세 개의 커패시터를 직렬 연결하여 위치시킨 후 신호 발생기를 이용하여 , 의 사인파신호를
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인덕턴스
L
트랜지스터(PNP)
Q
퓨즈
F
트랜지스터(NPN)
Q
접지 ( GND )
-
발광 다이오드 ( LED )
D
전원 ( VCC )
-
1-1.3 회로연결의 예
(1) 저항의 직렬 연결
R1 과 R2 가 12v의 전압에 직렬로 연결되있는 회로도입니다.
이것을 브레드 보드로 구성하면 우측
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회로는 인덕턴스와 커패시턴스를 결합시켜 구성된다. 유도 리액턴스(XL)는 주파수가 높아짐에 따라 증가하는 반면, 용량 리액턴스(XC)는 감소하기 때문에 이 두 성분의 반대되는 성질은 인덕터와 콘덴서를 어떻게 결합하는가에 따라 더욱더 필
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인덕턴스와 표준저항이 있는 경우의 L의 측정법인데 측정이 간단하기 때문에 잘 쓰인다.
(2) 공식
43. 쉘링 브리지에 의한 C의 측정
(1) 정의
고압측정회로를 사용한다. 미소용량을 측정 할 수 있는데 각 변은 shield 할 필요가 있다.
(2) 공식
44.
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회로를 살펴보면 임피던스(저항, 캐패
시터, 인덕턴스, 서셉턴스)성분이 있는데 낮은 주파
수에서는 거의 무시를 할 수 있으나, 주파수를 높
일수록 그리고 RF가 되면 더 이상 신호를 송수신하
지 못하게 되어있다. 따라서 케이블 저항도 고속
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★쇼트키 다이오드란?
- 쇼트키 다이오드의 사전적 정의
쇼트키 장벽에 의한 정류작용을 이용한 정류소자.
대표적인 것에는 과거에 사용되던 셀렌광석검파기, 실리콘 및 갈륨비소 쇼트키 다이오드가 있다. 쇼트키 다이오드에 흐르는 전류
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시턴스와 인덕턴스가 존재한다. 마찬가지로 축전지와 인덕터에도 각각 저항요소, 커패시턴스, 인덕턴스가 존재한다.)
2. 실험과정 및 결과에 대한 토의
-> 이 실험은 RLC 회로에서 전류를 주파수의 함수로 측정하여 공진현상을 관측하고 이
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확인해보라.
⑥ 실험에서 구한 L 값을 인덕턴스 값과 비교하여 오차(%)를 계산해보라.
⑦ 실험에서 얻은 데이터를 이용하여 RC 회로에서와 같은 방법으로 전압의 그래프를 합성해보고 키르히호프의 법칙이 만족하는가를 알아보자.
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인덕턴스 L값에 영향을 미치는 요소를 열거하라.
(2) 커패시터의 종류에 대하여 조사하고 커패시턴스 C값에 영향을 미치는 요소를 열거하라.
(3) 실험절차 (1),(2)의 회로에 대하여 이론치를 계산하여 표14.1과 표14.2의 형식으로 구성하라.
(
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