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전자전기컴퓨터설계실험 - 실험 장비 사용법 및 RLC회로 분석
1. 실험장비 종류 및 사용법
2. RLC 회로 이론 및 분석
2-1. 소자에 대한 이론
2-2. 임피던스와 페이저
2-3. RL회로 분석
2-4. RC회로 분석
2-5. RLC회로 분석
3-1. 실험에 필요한 장
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하라.
결 론
이 실험에서는 위상편이가 없는 소신호 공통콜렉터 증폭기 또는 이미터폴로워의 동작과 특성을 설명하였다. 여기서 입력신호는 트랜지스터의 베이스단자에 가해지는 반면에 출력신호는 이미터단자에서 얻는다. 이 실험에서는
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고 이 측정값을 기댓값(식4)과 비교하라.
결 론
이 실험에서는 180˚의 위상차를 갖는 소신호 공통이미터 증폭기의 동작과 특성을 설명하였다. 여기서 입력신호는 트랜지스터의 베이스 단자에 가해지는 반면에 출력신호는 콜렉터 단자로부터
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메터
측 정 값
V0 (rms)
4.857 [V]
파라메터
계 산 값
P0 (rms)
10.978 [mW]
Pdc
0.04459 [W]
%
16.05 % // Vm p-p 최대% = 20.38 %
○ 실험 25의 데이터 - 오실로스코프
실험단계 5 : 가변저항을 꼽은 후
채널 1 (Input) : 10mV / DIV
Vp-p = 30 mV
채널 2 (Output) : 1V / DIV
Vp-p = 2.5 V
시
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13-3의 랩뷰 블록 다이어 그램
Sin 파를 넣은 후 그래프 값
RL 을 뺀후 그래프 값
바이패스 콘덴서 제거 후
오실로 스코프 측정 값
○ 결과 및 결론
이번 실험은 12장 실험에 비해 상당히 어렵고 난이도가 있는 실험이다. 오실로스코프 와 신호발생
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.8827 [Ω]
30.12 [Ω]
14.0 %
파라미터
값
IE
0.83 [mA]
re
30.12 [Ω]
출력
VIN
VOUT
이득(측정값)
이득(기대값)
%오차
1kΩ
26 [mV]
364 [mV]
17.7656
16.6
7.0 %
None
32 [mV]
769 [mV]
34.7538
33.2
4.6 %
470Ω
28 [mV]
236 [mV]
10.8308
10.62
1.9 %
○ 실험 16의 데이터 - 오실로 스코프
[1kΩ
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1. 실험제목
N-Channel MOSFET 전류/전압 특성 측정
2. 실험목적
N-Channel MOSFET을 기판에 납땜하고, 그를 이용하여 N-Channel MOSFET의 전류/전압특성을 측정한다.
3. 실험장치
- FDC6329L (MOSFET 소자)
- Function Generator, Power Supply
- Oscilloscope
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1. 실험제목
MOSFET Circuit – Basic MOSFET Circuit
2. 실험목적
- MOSFET이 어떤 소자인지 알아보고 기본적인 동작 특성을 이해한다.
- N-Channel MOSFET의 전류/전압 특성을 관찰한다.
- Invertor를 구현하고 그 특성을 관찰한다.
3. 실험장치
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1. 실험제목
Diode Circuit (Rectifier Circuit Design)
2. 실험목적
D iode를 이용하여 Half-wave Rectifier와 Full-wave Rectifier를 설계해 보고 그 특성에 대해 알아본다.
3. 실험장치
- Diode
- Function Generator, Power Supply
- Oscilloscope
- Breadboard, Jumpin
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실험에서는 B급 푸시풀 이미터폴로워 전력증폭기의 설계와 동작 그리고 A급 증폭기 회로와 어떻게 비교되는 지를 설명하였다. 회로는 거의 동일한 특성을 갖는 상보형 트랜지스터 쌍(pnp형과 npn형 각 하나)이 요구된다. 또 교차 왜곡의 원인과
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