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평형일때 C-D 사이에는 전류가 흐르지 않는다 KCL 에 의해
I1 = I2 , I3 = Ix
이의 Ix를 ①번식의 I3에 대입
이의 I1을 ②번식 I2 에 대입
, 를 연립하면
따라서 위와 같은 평형 브리지 회로에서
이므로 이다
▶ 계산과정
Calculated value Rx , Ω 1
5.고찰
-이
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전기전자 공학 - 스트레인게이지 특성과 브릿지회로에 대하여
스트레인 게이지
스트레인 게이지 브리지회로
2 게이지법 및 4 게이지법 감도증가회로
브리지 상수(bridge constant)
각종 브리지 회로
회전축에서의 스트레인 게이지 사용
응
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때
, 둘 다 인가하였을 때 제목 : 실험 23. 평형 브리지 회로
1. 실험 목적
2. 관련이론
3. 실험 준비물
5. 실험과정 Pspice로 구현
제목 : 실험 24. 중첩의 정리
1. 실험 목적
2. 관련이론
3. 실험 준비물
4. 실험과정 Pspice로 구현
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브리지는 R1과 R2의 현재 값으로 평형이 될 수 없다.브리지가 평형을 이루려면 arms의 설정을 바꾸어야 한다.
5.참고문헌
*신회로이론 박송배 문전당
*기초회로 실측에 기초한 전자전기 실험
-홍순관 도서출판 글로벌 브리지회로 실험 보고서
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전자회로, 한티미디어 Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전자회로의 역사
1. 1948년
2. 1961년
3. 1960년
4. 1970년
5. 1970년대
6. 1980년대
Ⅲ. 전자회로의 부가조건
Ⅳ. 전자회로의 해석
1. 직류회로 해석
2. 교류회로 해석
Ⅴ. 브리지(브릿지)의 의미
Ⅵ.
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브리지(브릿지)와 휘트스톤브리지(휘트스톤브릿지)
Ⅵ. 브리지(브릿지)와 평형브리지(평형브릿지)
Ⅶ. 브리지(브릿지)와 만능브리지(만능브릿지)
1. 저항 계측
2. 인덕턴스 계측
3. 캐패시턴스 계측
Ⅷ. 브리지(브릿지)와 회로
Ⅸ. 결
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대치한다.
② G0 : 전류원을 개방하고 출력단에서 구한 합성저항
Ⅰ. 전기와 자기
7. 전자 에너지
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[1] 자기 인덕턴스에 축적되는 에너지
(가) 축적되는 에너지의 크기 : , 여기서 W:축척에너지[J], L:자체
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평형 브리지 회로
실험 24. 중첩의 원리
실험 25. 테브닌 정리
실험 26. 노튼의 정리
실험 31. 오실로스코우프 동작
실험 33. 오실로스코우프를 이용한 전압 및 주파수 측정
실험 35. 인덕턴스의 특성
실험 37. 인덕턴스의 직병렬 연결
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브리지의 중심에 무게중심이 있어야 정확히 측정이 된다.
로드셀을 주로 무게를 측정하는데 이용이 되는데, 1. 광센서
(1) 관련 이론
(2) 광센서의 활용
2. 근접센서
(1) 관련 이론
(2) 근접센서의 활용
3. 로드셀
(1) 관련 이론
(2) 로드
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평형 브리지 회로
실험 24. 중첩의 원리
실험 25. 테브닌 정리
실험 26. 노튼의 정리
실험 31. 오실로스코우프 동작
실험 33. 오실로스코우프를 이용한 전압 및 주파수 측정
실험 35. 인덕턴스의 특성
실험 37. 인덕턴스의 직병렬 연결
실험 38.
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