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기초전기전자실험 (송재주. 한올출판사. 2000)
-기초전기전자공학 (플로이드, 토마스, 청문각, 1998)
-전기공학 기초 (동일출판사, 김진수외 1998)
-전기/전자 일반 (일진사, 허규성, 1999)
-전기전자기초실습 (신광문화사, 안전관리연구회편, 1999)
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1. 실험목적
휘트스톤 브리지를 통하여 평형상태를 이용한 정밀 측정 방법을 이해하고, 휘트스톤 브리지에 의한 저
항 측정 방법을 실험한다. 2. 실험 이론
휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는 회로의 평형상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을
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이 실험은 주의 할 점이 있다. 교수님과 조교님께선 요즘 기기가 좋아져서 손상이 위험이 적다고 하셨지만 분명 지켜할 점이라고 강조하셨다.
주의 할 점이란 어떤 부품에 흐르는 전류를 측정하기 위해서는 그 부품에 직렬로 전류계를 연결
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과 계산과정
> R1 x I1 + R2 x I2 + . . . + RN x IN = 0 [ V ]
= 0 [ V ]
R2I2 +R3I2 +R4I2 +R6I2 - R2I1 - R4I3 = 0 [ V ]
(331Ω x I2) +(328Ω x I2) + (328Ω x I2) + (331Ω x I2)
- (331Ω x I1) - (328Ω x I3) = 0
= (1318Ωx I2) - (331Ω x I1) - (328Ω x I3) = 0 [ V ]- 번식
- Mesh (망) I3 계산식과 계산
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전기나 휴대전화 에서나 주파수가 이용된다. 고주파수의 신호는 거의 대부분 캐패시터를 통하여 저항에 전달되며 저주파의 경우는 거의 제거되고 저항에 전달되지 않는다는 것을 알 수 있다. 이와 같은 회로를 고대역필터라고 하고 주파수가
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스와 캐패시턴스의 값에 비례하여 전압과 전류에 역효과가 발생한다. 이로 인해 인덕턴스와 캐패시턴스의 값에 비례하여 저항성을 띄게 된다.이때 인덕턴스에 의한 저항성분을 유도성 리액턴스,캐패시턴스에 의한 저항성분을 용량성 리액턴
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3.7
4.82
-2.7
3.49
3.15
3.92
2.86
3.15
※계산식
,
5. 고찰
-이번 실험은 직렬 RLC회로에서 임피던스와 전류에 미치는 주파수의 영향을 실험적으로 조사하는 것이다. 직렬 RLC회로에서 전류는 옴의 법칙으로 식이 성립한다. 실험을 통해 각 주파수에 해당
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ured
Calculated
Original
Circuit
Thevenin
Equivalent Circuit
330Ω
4.29
4.27
1.07
1.075
5.61
3.05
3.052
5. 고찰
-이번 실험은 단일 전압원을 갖는 직류회로의 테브닌 등가전압과 등가저항을 결정하고 테브닌 정리를 실험적으로 입증해보는 것이었다.
테브닌과 노튼의
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브리지 회로의 저항기 사이의 관계를 알고 Bridge 회로를 이용하여 미지의 저항 값을 알아 내는 방법을 이해할 수 있다. 16 브리지
17 커패시터
18 인덕터
19 커패시터
20 인덕터
21 RC 시정수
22 직렬 RL, RC, RLC 회로
23 병렬RLC회로
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전류와 나가는 전류의 합은 0 (KCL 응용)
계산식
node Va에서 이다.
= = =
따라서,
- - = 0
양변에 0.8 x 2.194 x 1.184 해주면,
38.96 - 2.59 Va - 0.94 Va - 1.75 Va = 0
-5.28 Va = -38.96
Va = 7.37
이것을 위의 I 값에 대입하면
= = =
따라서,
= 9.53 [ mA ] = 3.35 [ mA ] = 6.24 [ mA ]
&
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