|
. 2번 그림은 1번 그림을 변형한 그림이다.
여기서 베이스-이미터 접합의 전압 강하는 VBE=0.7V로 가정 했다. 1. 목 적
2.예비지식
1) 직류해석
2) 소신호 해석
3.기기 및 부품
4. 실 험
1) 직류 해석
2) 소신호 해석
5. Pspice 결과
|
|
|
증폭기의 교류 이득과 같다. 커서를 이용해 그 크기를 구하라.
답 : 교류 이득은 1에 근사 하다
5. 이 값을 위에서 계산한 이론값과 비교하라.
답 : 교류 이득이 이론적으로는 0.98로 측정결과
981.18으로 둘 다 1에 가깝다고 볼 수 있다.
6. 이 값을
|
|
|
커패시터까지 제거한 후 전압을 측정하고 계산해봤더니 은 약 622.7Ω이 나왔다. 전자회로실험 예비보고서
8장. 베이스 접지 증폭기 및
이미터 폴로워 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
|
|
|
이미터 저항 값에 대한 AC컬렉터 저항 값의 바로 줄일 수 있다.
■ 모의실험회로 1-1 : NPN BJT 공통 이미터 증폭기 회로
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
이론(계산)값
시뮬레이션 값
31
31.086
4.75V
4.742
5mA
5.068
■ 모의실험회로 1-2 : NPN BJT 공통 이미
|
|
|
이미터가 PN 접합이므로 PN 접합의 순방향 특성을 나타낸다.
5. VCE - VBE 특성 곡선(되먹임 특성)
A, B, C의 특성 곡선을 이용해서 구할 수 있는데, 1상한에 A, 2상한에 B, 3상한에 C의 특성 곡선을 놓고 도해적으로 그려서 구한다.
실험 예상 결과
♣
|
|
|
정말 화음까지 구현이 가능했으리라고 생각해 본다. 1. 목적
2. 응용범위
3. 사용소자
4. 회로도
5. 결과
1)주파수
2)반음 주파수
3)전원
4)스피커 전압
5)LED주파수
6)트랜지스터 전압
6. 분석 및 토의
7. 개선사항
|
|
|
→ +100uA
IB가 100uA일 때 IC가 2mA라 가정하면…
컬렉터 전류 : 2mA → 3mA → 2mA → 1mA → 2mA
VC = VCC - VRL
VRL = ICRL
* 바이어스 방법과 안정화
*이미터 바이패스 캐패시터
* 위상관계
3) 시뮬레이션 결과 1)실험 목적
2)관련 이론
3)시뮬레이션 결과
|
|
|
전자적으로는 아무것도 연결을 하지 않으면 각종 노이즈나 주위 환경에 따라서 H의 입력이 될 수도 있고 L도 될 수도 있다.
소자특성마다 주위 환경등에 따라 H,L상태가 수시로 변하기 때문에 정확한 디지털 소자의 입출력에 방해를 준다.
그림
|
|
|
결과가 트랜지스터의 차단동작영역 동작특성과 일치하는지 비교하여라.
3) 이미터 접지증폭기의 포화 동작영역 실험
(1) 그림 3-9의 트랜지스터 이미터 공통회로를 이용하여라.
(2) 컬렉터와 이미터 사이의 전압 V(CE) 전압을 측정할 수 있도록
|
|
|
결과 REPORT
BJT바이어스 특성 및 회로
목 차
1. 실험 목적
2. 실험 장비
1.계측기
2.부품
3. 이론
4. 실험 내용 및 결과
1. 달링턴 이미터 폴로어 회로
2. 달링턴 회로 입출력 임피던스
3. 캐스코드 증폭기
5. 결론
6. 토의 및 고찰
1. 실험 목적: 달링턴
|
|
메뉴펼치기
