|
회로를 구성 할 수 있는데 함수발생기를 베이스단에 연결하였을 때 오실로스코프를 이용하여 파형을 측정해 보았다. 그 결과 <그림 7>과 같은 파형이 측정 되었고 LED가 초당 5회 점멸함을 확인 할 수 있었다. 1. 목적
2. 이론
3. 설계
4.
|
|
|
응용전자전기실험1 과목 수강하며 직접 작성한 레포트입니다.
PSPICE 시뮬레이션 파형 및 회로도 / 실제 실험 결과와 비교 분석 및 고찰 내용 작성되어 있습니다.
레포트 70% 비중 차지하는 실험 과목에서 A+ 받은 자료입니다.
최대한 깔끔하고,
|
|
|
응용전자전기실험1 과목 수강하며 직접 작성한 레포트입니다.
PSPICE 시뮬레이션 파형 및 회로도 / 실제 실험 결과와 비교 분석 및 고찰 내용 작성되어 있습니다.
레포트 70% 비중 차지하는 실험 과목에서 A+ 받은 자료입니다.
최대한 깔끔하고,
|
|
|
회로를 구성할 땐, 복잡한 계산이 필요하며 이것이 쉽지 않다는 것을 알 수 있다. 결과값과 결론이 이론과 같게 나온 실험이었다.
6. 참고
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사> 1. 실험의 목표
2. 기본이론
3. 사용
|
|
|
이미터 간 전압은 각각 얼마인가?
의 경우는 5.717V-4.947V=0.77V
는 4.142V-4.947V=-0.805V이다.
이론
6. 회로에 사용된 두 다이오드의 용도는 무엇인가?
두 트랜지스터의 전압강하에 의해 0.805V<<0.77V 사이는
두 트랜지스터가 둘 다 차단되어 출력이 0
|
|
|
입력파형이 없더라도 트랜지스터에는 아이들링 전류가 흐른다는 점이고, 아이들링 전류는 5mA
를 초과해서는 안된다는 점도 알게되었다. 1. 보고서 요약
2. 각 실험별 측정결과와 분석
1) 신호가 있을 때
2) 신호가 없을 때
3. Discussion
|
|
|
개요
Ⅱ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅲ. 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동)
1. Depletion MOS FET
2. Enhancement type
Ⅳ. 이미터 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅴ. 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 동작(작동)
참고문헌
|
|
|
결과
A. 공통소스 증폭기
- 위의 <그림 1>과 같은 회로를 <사진 1>처럼 구성하여 공통 소스 증폭기를 이용한 실험을 하였다.
- 직류 전원과 신호를 공급하고 오실로스코프를 사용하여 입력과 출력 신호 파형을 관츨한 결과 <사진 2>
|
|
|
회로의 입력측에 을 적용하면
을 얻고, 이 식과 두번째 식으로부터 를 소거하면 출력저항 는
이 된다.
위의 식은 트랜지스터를 중심으로 한 부분적인 입출력저항과 증폭도이며, 증폭기전체에 대한 경우는 그림 1(b)에서 을 연결함으로써 구해
|
|
|
공통-소스 증폭기
소신호 등가회로 모델로 대체하면 바이어스 전류 전원이 개방 회로를 대체된다.
증폭기 입력 저항 , 출력 저항 , 그리고 전압 이득 는 다음과 같이 구할 수 있다.
출력 저항 에 을 ∞로 놓음으로써 얻어지는 개방-회로 전압
|
|
메뉴펼치기
